高频低噪声放大高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,

CXNP5420

高频低噪声放大 ,高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,

高频低噪声放大高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,

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[ CXNP5420 ]

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产品简介

目录wPo嘉泰姆

1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）wPo嘉泰姆

5.产品封装 6.电路原理图 7.相关产品wPo嘉泰姆

一.产品概述wPo嘉泰姆

低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 wPo嘉泰姆

二.产品特点wPo嘉泰姆

参数wPo嘉泰姆	符号wPo嘉泰姆	极值wPo嘉泰姆	单位wPo嘉泰姆
BC 击穿电压wPo嘉泰姆	VCBOwPo嘉泰姆	20wPo嘉泰姆	VwPo嘉泰姆
EC 击穿电压wPo嘉泰姆	VCEOwPo嘉泰姆	12wPo嘉泰姆	VwPo嘉泰姆
EB 击穿电压wPo嘉泰姆	VEBOwPo嘉泰姆	3wPo嘉泰姆	VwPo嘉泰姆
集电极电流wPo嘉泰姆	ICwPo嘉泰姆	100wPo嘉泰姆	mAwPo嘉泰姆
功耗wPo嘉泰姆	PCwPo嘉泰姆	0.2wPo嘉泰姆	WwPo嘉泰姆
结温度wPo嘉泰姆	TjwPo嘉泰姆	150wPo嘉泰姆	℃wPo嘉泰姆
存储温度wPo嘉泰姆	TstgwPo嘉泰姆	-65-+150wPo嘉泰姆	℃wPo嘉泰姆

参数wPo嘉泰姆	符号wPo嘉泰姆	最小wPo嘉泰姆值.wPo嘉泰姆	典型wPo嘉泰姆值.wPo嘉泰姆	最大wPo嘉泰姆值wPo嘉泰姆	单位wPo嘉泰姆	条件wPo嘉泰姆
BC 击穿电压wPo嘉泰姆	BVCBOwPo嘉泰姆	20wPo嘉泰姆			VwPo嘉泰姆	IC=10uAwPo嘉泰姆
EC 击穿电压wPo嘉泰姆	BVCEOwPo嘉泰姆	12wPo嘉泰姆			VwPo嘉泰姆	IC=1mAwPo嘉泰姆
EB 击穿电压wPo嘉泰姆	BVEBOwPo嘉泰姆	3wPo嘉泰姆			VwPo嘉泰姆	IE=10uAwPo嘉泰姆
集电极关断电流wPo嘉泰姆	ICBOwPo嘉泰姆			1wPo嘉泰姆	uAwPo嘉泰姆	VCB=10VwPo嘉泰姆
发射极关断电流wPo嘉泰姆	IEBOwPo嘉泰姆			1wPo嘉泰姆	uAwPo嘉泰姆	VEB=1VwPo嘉泰姆
直流增益wPo嘉泰姆	*HFE1**wPo嘉泰姆	90wPo嘉泰姆	130wPo嘉泰姆	170wPo嘉泰姆		VCE= 10V, IC=20mAwPo嘉泰姆
高频特性wPo嘉泰姆
特征频率wPo嘉泰姆	fTwPo嘉泰姆		5wPo嘉泰姆		GHzwPo嘉泰姆	VCE=10V, IC=20mAwPo嘉泰姆

三.应用范围wPo嘉泰姆

高频低噪声放大 wPo嘉泰姆

四.技术规格书（产品PDF)wPo嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！wPo嘉泰姆

wPo嘉泰姆

五.产品封装图wPo嘉泰姆

wPo嘉泰姆

六.电路原理图wPo嘉泰姆

wPo嘉泰姆

七.相关芯片选择指南wPo嘉泰姆

高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)
Part No.	Polarity	VCEO(Max.)	IC(Max.)	Ft(Typical)	Package	Application
CXNP5419	NPN	12V	50mA	3.0GHz	SOT23	LNA
CXNP5419B	NPN	12V	80mA	4.0GHz	SOT23	LNA
CXNP5420	NPN	12V	100mA	5.0GHz	SOT23	LNA
CXNP5420B	NPN	12V	200mA	5.0GHz	SOT23	LNA

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