CXMS5214 CXMS5214-N系列P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于最小化导通电阻适合于低压应用低功耗低功耗超低导通电阻高密度电池设计

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CXMS5214 CXMS5214-N Series P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation,and low power dissipation in a very small outline surface mount package

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l -20V/-2.8A RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance LBu嘉泰姆

l Subminiature surface mount package:SOT23LBu嘉泰姆

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l Load switch LBu嘉泰姆

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