CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗。

产品简介

CXMS5224FG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation.

产品特点返回TOPeKf嘉泰姆

z 20V/6A eKf嘉泰姆

RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A eKf嘉泰姆

RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A eKf嘉泰姆

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance eKf嘉泰姆

z Surface mount package：SOP8 z ESD Protected: 3000 VeKf嘉泰姆

应用范围返回TOPeKf嘉泰姆

z Battery management eKf嘉泰姆

z power management eKf嘉泰姆

z Portable equipment eKf嘉泰姆

z Low power DC to DC converter. eKf嘉泰姆

z Load switch z LCD adaptereKf嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)eKf嘉泰姆
ParteKf嘉泰姆 NumbereKf嘉泰姆	ModeeKf嘉泰姆	VDS(Max)eKf嘉泰姆	VGSeKf嘉泰姆	ID(Max)eKf嘉泰姆	RDS(on)eKf嘉泰姆	ApplicationeKf嘉泰姆	PackageeKf嘉泰姆
ParteKf嘉泰姆 NumbereKf嘉泰姆	ModeeKf嘉泰姆	VDS(Max)eKf嘉泰姆	VGSeKf嘉泰姆	ID(Max)eKf嘉泰姆	RDS(on)eKf嘉泰姆	ApplicationeKf嘉泰姆	PackageeKf嘉泰姆
CXMS5213eKf嘉泰姆	N channeleKf嘉泰姆	20VeKf嘉泰姆	12VeKf嘉泰姆	5.2AeKf嘉泰姆	37mΩeKf嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧eKf嘉泰姆	SOT23eKf嘉泰姆
CXMS5220eKf嘉泰姆	N channeleKf嘉泰姆	20VeKf嘉泰姆	8VeKf嘉泰姆	3AeKf嘉泰姆	22mΩeKf嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧eKf嘉泰姆	SOT23/SOT23-3eKf嘉泰姆
CXMS5220-NeKf嘉泰姆	N channeleKf嘉泰姆	20VeKf嘉泰姆	12VeKf嘉泰姆	5.2AeKf嘉泰姆	29mΩeKf嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧eKf嘉泰姆	SOT23eKf嘉泰姆
CXMS5221eKf嘉泰姆	Double NeKf嘉泰姆	20VeKf嘉泰姆	12VeKf嘉泰姆	6AeKf嘉泰姆	22mΩeKf嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧eKf嘉泰姆	SOP8eKf嘉泰姆
CXMS5222eKf嘉泰姆	N channeleKf嘉泰姆	30VeKf嘉泰姆	12VeKf嘉泰姆	5.8AeKf嘉泰姆	25mΩeKf嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧eKf嘉泰姆	SOT23/SOT23-3eKf嘉泰姆
CXMS5222-NeKf嘉泰姆	N channeleKf嘉泰姆	30VeKf嘉泰姆	20VeKf嘉泰姆	4.4AeKf嘉泰姆	35mΩeKf嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧eKf嘉泰姆	SOT23eKf嘉泰姆
CXMS5223eKf嘉泰姆	Double NeKf嘉泰姆	20VeKf嘉泰姆	12VeKf嘉泰姆	6AeKf嘉泰姆	21mΩeKf嘉泰姆	①②③④⑤eKf嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP8eKf嘉泰姆
CXMS5224eKf嘉泰姆	Double NeKf嘉泰姆	20VeKf嘉泰姆	12VeKf嘉泰姆	5AeKf嘉泰姆	19mΩeKf嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧eKf嘉泰姆	TSSOP8/SOT26eKf嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectioneKf嘉泰姆

CXMS5224

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CXMS5224FG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation.

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