CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计

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CXMS5221SG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation

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l 20V/5A， RDS(ON) =29mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SfI嘉泰姆

l surface mount package：SOP8SfI嘉泰姆

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l Battery management

l power management SfI嘉泰姆

l Portable equipment SfI嘉泰姆

l Low power DC to DC converter. SfI嘉泰姆

l Load switch SfI嘉泰姆

l LCD adapterSfI嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)SfI嘉泰姆
PartSfI嘉泰姆 NumberSfI嘉泰姆	ModeSfI嘉泰姆	VDS(Max)SfI嘉泰姆	VGSSfI嘉泰姆	ID(Max)SfI嘉泰姆	RDS(on)SfI嘉泰姆	ApplicationSfI嘉泰姆	PackageSfI嘉泰姆
PartSfI嘉泰姆 NumberSfI嘉泰姆	ModeSfI嘉泰姆	VDS(Max)SfI嘉泰姆	VGSSfI嘉泰姆	ID(Max)SfI嘉泰姆	RDS(on)SfI嘉泰姆	ApplicationSfI嘉泰姆	PackageSfI嘉泰姆
CXMS5213SfI嘉泰姆	N channelSfI嘉泰姆	20VSfI嘉泰姆	12VSfI嘉泰姆	5.2ASfI嘉泰姆	37mΩSfI嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧SfI嘉泰姆	SOT23SfI嘉泰姆
CXMS5220SfI嘉泰姆	N channelSfI嘉泰姆	20VSfI嘉泰姆	8VSfI嘉泰姆	3ASfI嘉泰姆	22mΩSfI嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧SfI嘉泰姆	SOT23/SOT23-3SfI嘉泰姆
CXMS5220-NSfI嘉泰姆	N channelSfI嘉泰姆	20VSfI嘉泰姆	12VSfI嘉泰姆	5.2ASfI嘉泰姆	29mΩSfI嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧SfI嘉泰姆	SOT23SfI嘉泰姆
CXMS5221SfI嘉泰姆	Double NSfI嘉泰姆	20VSfI嘉泰姆	12VSfI嘉泰姆	6ASfI嘉泰姆	22mΩSfI嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧SfI嘉泰姆	SOP8SfI嘉泰姆
CXMS5222SfI嘉泰姆	N channelSfI嘉泰姆	30VSfI嘉泰姆	12VSfI嘉泰姆	5.8ASfI嘉泰姆	25mΩSfI嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧SfI嘉泰姆	SOT23/SOT23-3SfI嘉泰姆
CXMS5222-NSfI嘉泰姆	N channelSfI嘉泰姆	30VSfI嘉泰姆	20VSfI嘉泰姆	4.4ASfI嘉泰姆	35mΩSfI嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧SfI嘉泰姆	SOT23SfI嘉泰姆
CXMS5223SfI嘉泰姆	Double NSfI嘉泰姆	20VSfI嘉泰姆	12VSfI嘉泰姆	6ASfI嘉泰姆	21mΩSfI嘉泰姆	①②③④⑤SfI嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP8SfI嘉泰姆
CXMS5224SfI嘉泰姆	Double NSfI嘉泰姆	20VSfI嘉泰姆	12VSfI嘉泰姆	5ASfI嘉泰姆	19mΩSfI嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧SfI嘉泰姆	TSSOP8/SOT26SfI嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionSfI嘉泰姆

CXMS5221

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