CXMS5221系列双N沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小导通电阻。这种装置特别适合于低压应用和低功耗
20V/5A，RDS（开）=29mΩ@VGS=3.85V，ID=5A
超低导通电阻高密度电池设计
[ CXMS5221 ]
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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管) |
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Part |
Mode |
VDS(Max) |
VGS |
ID(Max) |
RDS(on) |
Application |
Package |
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N channel |
20V |
12V |
5.2A |
37mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
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|
N channel |
20V |
8V |
3A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
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N channel |
20V |
12V |
5.2A |
29mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
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Double N |
20V |
12V |
6A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
|
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N channel |
30V |
12V |
5.8A |
25mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
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|
N channel |
30V |
20V |
4.4A |
35mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
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Double N |
20V |
12V |
6A |
21mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23-6/ TSSOP8 |
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Double N |
20V |
12V |
5A |
19mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
TSSOP8/SOT26 |
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Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection |
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