CXMS5210

CXMS5210 CXMS5218系列双P沟道增强型场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,主要用于减小通态电阻。这种装置特别适合于低压应用和低功耗

CXMS5210 CXMS5218双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低压应用和低功耗

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   产品概述 返回TOPG1T嘉泰姆


CXMS5218SG CXMS5210 Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation .

   产品特点 返回TOPG1T嘉泰姆


z -30V/-6A RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A G1T嘉泰姆

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance G1T嘉泰姆

z Surface mount package:SOP8G1T嘉泰姆

   应用范围 返回TOPG1T嘉泰姆


z Power management G1T嘉泰姆

z Load switch G1T嘉泰姆

z Battery protectionG1T嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgG1T嘉泰姆

产品封装图 返回TOPG1T嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPG1T嘉泰姆


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PartG1T嘉泰姆

ModeG1T嘉泰姆

VDS(Max)G1T嘉泰姆

VGSG1T嘉泰姆

ID(Max)G1T嘉泰姆

RDS(on)G1T嘉泰姆

ApplicationG1T嘉泰姆

PackageG1T嘉泰姆

NumberG1T嘉泰姆

CXMS5214G1T嘉泰姆

P channelG1T嘉泰姆

-20VG1T嘉泰姆

-8VG1T嘉泰姆

-2.8AG1T嘉泰姆

93mΩG1T嘉泰姆

①②③④⑤G1T嘉泰姆

SOT23/SOT23-3G1T嘉泰姆

CXMS5214-NG1T嘉泰姆

P channelG1T嘉泰姆

-20VG1T嘉泰姆

-12VG1T嘉泰姆

-3.1AG1T嘉泰姆

77mΩG1T嘉泰姆

①②③④⑤G1T嘉泰姆

SOT23G1T嘉泰姆

CXMS5215G1T嘉泰姆

P channelG1T嘉泰姆

-30VG1T嘉泰姆

-12VG1T嘉泰姆

-4.2AG1T嘉泰姆

55mΩG1T嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧G1T嘉泰姆

SOT23/SOT23-3G1T嘉泰姆

CXMS5215-NG1T嘉泰姆

P channelG1T嘉泰姆

-30VG1T嘉泰姆

-20VG1T嘉泰姆

-2.9AG1T嘉泰姆

92mΩG1T嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧G1T嘉泰姆

SOT23G1T嘉泰姆

CXMS5216G1T嘉泰姆

P channelG1T嘉泰姆

-30VG1T嘉泰姆

-20VG1T嘉泰姆

-4.1AG1T嘉泰姆

46mΩG1T嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧G1T嘉泰姆

SOT23/SOT23-3G1T嘉泰姆

CXMS5217G1T嘉泰姆

P channelG1T嘉泰姆

-30VG1T嘉泰姆

-20VG1T嘉泰姆

-6AG1T嘉泰姆

46mΩG1T嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑨G1T嘉泰姆

SOP8/SOT89-3G1T嘉泰姆

CXMS5218G1T嘉泰姆

Double PG1T嘉泰姆

-30VG1T嘉泰姆

-20VG1T嘉泰姆

-6AG1T嘉泰姆

53mΩG1T嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧G1T嘉泰姆

SOP8G1T嘉泰姆

CXMS5219G1T嘉泰姆

Double PG1T嘉泰姆

-30VG1T嘉泰姆

-20VG1T嘉泰姆

-6AG1T嘉泰姆

46mΩG1T嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧G1T嘉泰姆

SOP8G1T嘉泰姆

Applications: ①Mobile   phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD   Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionG1T嘉泰姆

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