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CXCP5367DR

The CXCP5367DR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

CXCP5367DR是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻

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   产品概述 返回TOPM04嘉泰姆

The CXCP5367DR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

   产品特点 返回TOPM04嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.48Ω @VGS=-4.5V M04嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.67Ω @VGS=-2.5V M04嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.95Ω @VGS=-1.8V M04嘉泰姆

● RDS(ON)= 2.20Ω @VGS=-1.5V M04嘉泰姆

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON) M04嘉泰姆

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability M04嘉泰姆

● Capable doing Cu wire bondingM04嘉泰姆

   应用范围 返回TOPM04嘉泰姆

● Power Management in Note book M04嘉泰姆

● Portable Equipment M04嘉泰姆

● Battery Powered SystemM04嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgM04嘉泰姆

产品封装图 返回TOPM04嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPM04嘉泰姆

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IDMM04嘉泰姆

RDS(on)M04嘉泰姆

封装M04嘉泰姆

(Max)M04嘉泰姆

  

(Typ)M04嘉泰姆

(Max)M04嘉泰姆

  

(Max)M04嘉泰姆

BSS84M04嘉泰姆

P沟道M04嘉泰姆

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CX08P12DM04嘉泰姆

P沟道M04嘉泰姆

-12VM04嘉泰姆

-8VM04嘉泰姆

-1.0VM04嘉泰姆

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-12VM04嘉泰姆

-12VM04嘉泰姆

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CXCP5367/AM04嘉泰姆

P沟道M04嘉泰姆

-20VM04嘉泰姆

-10VM04嘉泰姆

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-3AM04嘉泰姆

-10AM04嘉泰姆

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-12VM04嘉泰姆

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-30VM04嘉泰姆

-12VM04嘉泰姆

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-4.2AM04嘉泰姆

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50mΩM04嘉泰姆

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