CXCP5367DR

The CXCP5367DR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

CXCP5367DR是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻

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The CXCP5367DR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

   产品特点 返回TOPIuO嘉泰姆


● RDS(ON)= 0.48Ω @VGS=-4.5V IuO嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.67Ω @VGS=-2.5V IuO嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.95Ω @VGS=-1.8V IuO嘉泰姆

● RDS(ON)= 2.20Ω @VGS=-1.5V IuO嘉泰姆

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON) IuO嘉泰姆

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability IuO嘉泰姆

● Capable doing Cu wire bondingIuO嘉泰姆

   应用范围 返回TOPIuO嘉泰姆


● Power Management in Note book IuO嘉泰姆

● Portable Equipment IuO嘉泰姆

● Battery Powered SystemIuO嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgIuO嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPIuO嘉泰姆


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IDIuO嘉泰姆

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RDS(on)IuO嘉泰姆

封装IuO嘉泰姆

(Max)IuO嘉泰姆

 

(Typ)IuO嘉泰姆

(Max)IuO嘉泰姆

 

(Max)IuO嘉泰姆

BSS84IuO嘉泰姆

P沟道IuO嘉泰姆

-50VIuO嘉泰姆

20VIuO嘉泰姆

-2.0VIuO嘉泰姆

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-20VIuO嘉泰姆

-12VIuO嘉泰姆

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-20VIuO嘉泰姆

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-12VIuO嘉泰姆

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-20VIuO嘉泰姆

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CXCP5367DRIuO嘉泰姆

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-20VIuO嘉泰姆

-6VIuO嘉泰姆

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-20VIuO嘉泰姆

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-30VIuO嘉泰姆

-12VIuO嘉泰姆

-1.0VIuO嘉泰姆

-4.2AIuO嘉泰姆

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-30VIuO嘉泰姆

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CXCP5373/BIuO嘉泰姆

P沟道IuO嘉泰姆

-20VIuO嘉泰姆

-12VIuO嘉泰姆

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-30VIuO嘉泰姆

-20VIuO嘉泰姆

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CXCP5390IuO嘉泰姆

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-20VIuO嘉泰姆

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CXCP5390BIuO嘉泰姆

P沟道IuO嘉泰姆

-60VIuO嘉泰姆

-20VIuO嘉泰姆

-2.9VIuO嘉泰姆

-6.5AIuO嘉泰姆

-20AIuO嘉泰姆

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-30VIuO嘉泰姆

-20VIuO嘉泰姆

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-30VIuO嘉泰姆

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-40VIuO嘉泰姆

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-1.6VIuO嘉泰姆

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-20VIuO嘉泰姆

-10VIuO嘉泰姆

-0.7VIuO嘉泰姆

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-20AIuO嘉泰姆

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CXCP5379IuO嘉泰姆

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-20VIuO嘉泰姆

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-0.8VIuO嘉泰姆

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