CXDR7547F CXDR7547H系列为内置延迟电路的电压检测器。采用CMOS工艺和激光微调技术,实现了高精度, 低电流消耗。检测电压精度高,且温度漂移极小。输出电路有N沟开漏和CMOS 2种。因内置延迟电路,所以不需要外置元件,可实现高密度安装
[ CXDR7547F ]
产品技术资料帮助
查看全部>
7.相关产品
产品概述 返回TOP
产品特点 返回TOP
应用范围 返回TOP
●Microprocessor reset circuitry
●Memory battery back-up circuits
●Power-on reset circuits
●Power failure detection
●System battery life and charge voltage monitors
●Delay circuitry
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
|
单功能电压检测器 |
|||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出形式 |
温度 范围 (℃) |
检测 电压 精度 (%) |
检测电 压温度 特性 ppm/℃ |
|
μA |
|||||||||||
|
低消耗 电流 |
SOT24 USP3 |
1 |
5 |
0.7 |
6 |
0.5 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
检测电压 高精度 |
SOT24 USPN4B02 |
1.5 |
5.5 |
0.7 |
6 |
0.7 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±0.8 |
±50 |
|
|
低检测电 压0.8V |
SOT23 SOT89 SOT24 |
0.8 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
低检测电 压0.8V |
USP3 |
0.8 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
Assures All Temperature Range |
SOT23 SOT89 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±400 |
|
|
电压检测器 延迟时间内部设定 |
||||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出 形式 |
手动复 位输入 |
解除延 迟时间 (ms) |
检测电 压精度 (%) |
检测电压 温度特性 ppm/℃ |
|
μA |
||||||||||||
|
看门狗+ 手动复位 |
SOT25 USP6C |
1.6 |
5 |
1 |
6 |
8 |
CMOS |
Yes |
3.13 25 50 100 200 400 1600 |
±2 |
±100 |
|
|
看门狗+ 手动复位 |
SOT25 USP6C |
1.6 |
5 |
1 |
6 |
8 |
CMOS N-ch open drain |
Yes |
3.13 25 50 100 200 400 1600 |
±2 |
±100 |
|
|
检测电压, 高精度、 手动复位 |
SOT25 SSOT24 USPN4 |
1.5 |
5.5 |
0.7 |
6 |
0.7 |
CMOS N-ch open drain |
Yes |
50 100 200 400 800 |
±0.8 |
±50 |
|
|
工作电压范围 0.7~10V |
SOT23 SOT89 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
1 |
CMOS N-ch open drain |
No |
±2 |
±100 |
||
|
带内置延迟电路 |
SOT23 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
1 |
CMOS N-ch open drain |
No |
1 50 80 |
±2 |
±100 |
|
|
电压检测器 延迟时间外部设定 |
|||||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出 形式 |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
手动 复位 输入 |
检测 电压 精度 |
检测电压温度特性 |
|
μA |
μA |
(%) |
ppm/℃ |
||||||||||
|
独立电压检测端子 |
SOT25 USP4 |
0.8 |
5 |
1 |
6 |
0.8*2 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.8*2 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
带外置延迟电容 |
SSOT24 |
0.8 |
5 |
0.7 |
6 |
0.9*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.9*1 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
独立电压检测端子 |
SOT25 USP4 |
0.8 |
5 |
1 |
6 |
0.8*2 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.8*2 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
带外置延迟电容 |
SSOT24 USPN4 |
0.8 |
5 |
0.7 |
6 |
0.9*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.9*1 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
外接电容延迟式 |
SSOT24 USPN4 |
1.5 |
5.5 |
1.3 |
6 |
0.58*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.58*1 |
Yes |
±0.8 |
±50 |
|
|
浪涌电压保护功能外调滞后宽度 |
SOT26 USP6C |
0.8 |
2 |
1.6 |
6 |
1.43*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.43*1 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
电容延迟式 |
SOT26 USP6C |
1 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32*3 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32*3 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
外部调整滞后电容延迟式 |
SOT26 USP6C |
0.8 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32*3 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32*3 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式 |
USP6C |
0.8 |
2 |
1.6 |
6 |
1.43*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.43*1 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式 |
SOT26 USP6C |
1 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
◀ 上一篇:超小型高精度内置延迟电路电压检测器CXDR7550 CMOS工艺基准电源激光微调技术实现温度漂移高精度低消耗电流高精度延迟时间手动复位引脚(MRB)的强制复位功能
下一篇▶:CXDR7547H
