电压检测与复位IC

电压检测与复位IC

电压检测与复位IC

产品选型表

CXDR7536

输出模式:

输入电压:0.7-7.0V

检测电压:1.0-6.5V

功耗:0.9uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms

封装:SOT23/SOT23-3

说明:

展开

CXDR7535

输出模式:

输入电压:1.5-18V

检测电压:2.0-7.0V

功耗:1.8uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:NMOS

延迟时间:N/A

封装:TO92/SOT89-3/SOT23-3

说明:

展开

CXDR7534

输出模式:

输入电压:1.5-18V

检测电压:2.0-7.0V

功耗:1.8uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:N/A

封装:TO92/ SOT23-3/SOT89-3

说明:

展开

CXDR7533

输出模式:

输入电压:0.7-7.0V

检测电压:1.0-7.0V

功耗:0.9uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:NMOS

延迟时间:N/A

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7532

输出模式:

输入电压:0.7-7.0V

检测电压:1.0-7.0V

功耗:0.9uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:N/A

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR75142

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:1.5~4.5V

功耗:4.5μA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS Or NCh

延迟时间:200ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR75141

输出模式:

输入电压:6.0V

检测电压:1.5~4.5V

功耗:4μA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:Nch

延迟时间:15ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7531D

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:1.5~4.5V

功耗:10μA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7531C

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:1.5~4.5V

功耗:10μA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7530D

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:1.5~4.5V

功耗:10μA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7530C

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:1.5~4.5V

功耗:10μA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7529

输出模式:

输入电压:0.7~10V

检测电压:0.9~6V

功耗:0.5μA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS Or NCh, Hysteresis 4%

延迟时间:N/A

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7528A

输出模式:

输入电压:1.5-7.0V

检测电压:4.65V

功耗:4uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:N-channel open drain and CMOS

延迟时间:N

封装:SOT-23-5,SOT-353

说明:

展开

CXDR7528C

输出模式:

输入电压:0.7-7.0V

检测电压:4.65V

功耗:2uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:N-channel open drain or CMOS

延迟时间:N

封装:SOT-23-3

说明:

展开

CXDR7528F

输出模式:

输入电压:0.7-7.0V

检测电压:4.65V

功耗:2uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:N-channel open drain or CMOS

延迟时间:Y

封装:SOT-23-3,SOT-89-3,TO-92

说明:

展开

CXDR7527

输出模式:

输入电压:0.7-6.0V

检测电压:4.65V

功耗:1.5uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:N-channel open drain or CMOS

延迟时间:Y

封装:SOT-23-3

说明:

展开

CXDR7526

输出模式:

输入电压:0.7-7.0V

检测电压:4.65V

功耗:1.5uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:N-channel open drain or CMOS

延迟时间:Y

封装:SOT-143

说明:

展开

CXDR7525A

输出模式:

输入电压:2.0-6.5V

检测电压:4.65V

功耗:8uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:单节锂电池4段电量显示

延迟时间:N

封装:SOT-23-6

说明:

展开

CXDR7522

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:4.65V

功耗:8.0uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS/低有效/带手动复位

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOT-143

说明:

展开

CXDR7520

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:4.65V

功耗:8.0uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS/低有效

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOT-23

说明:

展开

CXDR7519

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:4.65V

功耗:1.0uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS/低有效

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOT-23

说明:

展开

CXDR7521

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:4.65V

功耗:1.0uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:N沟道/低有效

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOT-23

说明:

展开

CXDR7523L

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:4.65V

功耗:52uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS/高有效/带手动复位/带看门狗

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7524

输出模式:

输入电压:6V

检测电压:4.65V

功耗:52uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS/高有效和低有效/带手动复位

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7516C

输出模式:

输入电压:12V

检测电压:4.65V

功耗:1.1uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS/N沟道

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOT-23

说明:

展开

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