电压检测与复位IC

电压检测与复位IC

电压检测与复位IC

产品选型表

CXDR7518

输出模式:

输入电压:1.5-8V

检测电压:4.65V

功耗:4uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS/N沟道反相

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOT-25

说明:

展开

CXDR7517

输出模式:

输入电压:6.5V

检测电压:4.65V

功耗:1.8uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOT-25

说明:

展开

CXDR7512T

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:3.08V

功耗:50uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7513

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.65V

功耗:30uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7514

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.4V

功耗:30uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7514S

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.93V

功耗:30uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7514T

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:3.08V

功耗:30uA

复位时间:

复位电平:高电平和低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7515L

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.65V

功耗:50uA

复位时间:

复位电平:高电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7512S

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.93V

功耗:50uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7512R

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.63V

功耗:50uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7512P

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.63V

功耗:50uA

复位时间:

复位电平:高电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7512

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.4V

功耗:50uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7511

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.65V

功耗:50uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:200ms(Typ.)

封装:SOP8

说明:

展开

CXDR7510L

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.63V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:高电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7510M

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.38V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:高电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7510S

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.93V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:高电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7509L

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.63V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7509M

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.38V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7509J

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:4.00V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7509T

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:3.08V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7509S

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.93V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7509R

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.63V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7508S

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.93V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7507R

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:2.63V

功耗:3.2uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXDR7506

输出模式:

输入电压:2.7V 到 6V

检测电压:外部设置

功耗:7.5uA

复位时间:

复位电平:低电平

精度:±1%

输出电流:10mA

输出形式:CMOS

延迟时间:至少延时 140ms

封装:TSSOP16

说明:

展开

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