CXDR7528A系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装、可
编程电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选
择CMOS输出或N-ch Open Drain输出。
CXDR7528F系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片,具高精度
低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围,基
本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了
CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时,减少了应用电路中的外围器件。
CXDR7528C系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测
芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择CMOS输出或
Open Drain输出。
[ CXDR7528B ]
产品技术资料帮助
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一,产品概述(General Description) CXDR7528B系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装、可 编程电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选 择CMOS输出或N-ch Open Drain输出。 CXDR7528F系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片,具高精度 低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围,基 本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了 CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时,减少了应用电路中的外围器件。 CXDR7528C系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测 芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择CMOS输出或 Open Drain输出。 二.产品特点(Features) 输出电压精度高:精度可达±1.0% 消耗电流少: 4uA(Vin=3.0V) 工作电压范围: 0.7V-7.0V 检测电压温度特性: ±100ppm(typ.) 输出配置: N-channel open drain或CMOS 工作电压=1.5-7.0V 延迟=N 静态功耗=4uA 输出方式=N-channel open drain and CMOS 封装形式:SOT-23-5L,SOT-353L 三,应用范围 (Applications) 微处理器复位电路 存储器电池备份电路 上电复位电路 供电失效检测 系统电池寿命和充电电压监测 窗比较器 波形锐化电路 四.下载产品资料PDF文档 需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!
五,产品封装图 (Package) 六.电路原理图 |
七,功能概述
参数 | 符号 | 最大值 | 单位 | |
输入电压 | VIN | 12 | V | |
输出电流 | IOUT | 50 | mA | |
输出电压 | CMOS | VOUT | VSS -0.3 ~ VIN + 0.3 | V |
N 管漏开路 | VSS -0.3 ~ 9 | |||
功耗 | ||||
SOT-23 | Pd | 150 | mW | |
SOT-89 | 500 | |||
TO-92 | ||||
300 | ||||
操作温度范围 | ||||
Topr | -30~+85 | ℃ | ||
保存温度范围 | Tstg | -40~+125 | ℃ |
八,相关产品
产品名称 | 工作电压(V) | 延迟 | 静态功耗(uA) | 输出方式 | 封装形式 |
CXDR7525A | 2.0-6.5 | N | 8 | 单节锂电池4段电量显示 | SOT-23-6 |
CXDR7526 | 0.7-7.0 | Y | 1.5 | N-channel open drain or CMOS | SOT-143 |
CXDR7527 | 0.7-6.0 | Y | 1.5 | N-channel open drain or CMOS | SOT-23-3 |
CXDR7528F | 0.7-7.0 | Y | 2 | N-channel open drain or CMOS | SOT-23-3,SOT-89-3,TO-92 |
CXDR7528C | 0.7-7.0 | N | 2 | N-channel open drain or CMOS | SOT-23-3 |
CXDR7528B | 1.5-7.0 | N | 4 | N-channel open drain and CMOS | SOT-23-5,SOT-353 |
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