P沟道MOSFETs

P沟道MOSFETs

产品选型表

CXMS5257

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:

说明:N沟道耗尽型带ESD保护

 展开

CXMS5252L

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP-8

说明:30V P 沟道增强型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5252C

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP-8

说明:30V P 沟道增强型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5252

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP-8

说明:20V P 沟道增强型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5262

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP-8

说明:双重增强型 MOSFET(N-P 沟道)

展开

CXMS5261

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP-8?

说明:30V P 沟道增加型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5271

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP-8

说明:20V 高密度 P 沟道 MOS 管

 展开

CXMS5251

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23-6

说明:。-30V P 沟道增强型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5255

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23

说明:P 沟道增强型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5268

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP-8

说明:20V P 沟道增加型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5266

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT-23

说明:30V P 沟道 MOS 场效应管

 展开

CXMS5256

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23-3

说明:

展开

CXMS5254

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23-3

说明:P 沟道增强型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5264

VDS:

VGS:

IDS:

RDS(ON):

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23-3

说明:18V P 沟道增强型 MOS 场效应管

 展开

CXMS5248

VDS:-300V

VGS:

IDS:-170mA

RDS(ON):17Ω

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:TO92

说明:

展开

CXMS5231

VDS:-30V

VGS:

IDS:-9.1A

RDS(ON):15mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP8

说明:

展开

CXMS5229

VDS:-30V

VGS:

IDS:-5.1A

RDS(ON):48mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP8

说明:

展开

CXMS5228

VDS:-30V

VGS:

IDS:-4.2A

RDS(ON):50mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23

说明:

展开

CXMS5227

VDS:-30V

VGS:

IDS:-4.1A

RDS(ON):55mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23

说明:

展开

CXMS5226

VDS:-20V

VGS:

IDS:-4.1A

RDS(ON):39mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23

说明:

展开

CXMS5225

VDS:-20V

VGS:

IDS:-3A

RDS(ON):64mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23

说明:

展开

CXMS5217

VDS:-30V

VGS:-20V

IDS:-6A

RDS(ON):46mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOP8/SOT89-3

说明:

展开

CXMS5216

VDS:-30V

VGS:-20V

IDS:-4.1A

RDS(ON):46mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23/SOT23-3

说明:

展开

CXMS5215-N

VDS:-30V

VGS:-20V

IDS:-2.9A

RDS(ON):92mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23

说明:

展开

CXMS5215

VDS:-30V

VGS:-12V

IDS:-4.2A

RDS(ON):55mΩ

VGS(th):

Ciss:

Coss:

Crss:

Td(on):

Tr:

Td(off):

Tf:

IDM:

PD:

封装:SOT23/SOT23-3

说明:

展开

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