极低的导通电阻高密度的单元设计,高级的加工技术,20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254,CXMS5255
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 48mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 75mΩ@TYP
[ CXMS5254 ]
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高级的加工技术
极低的导通电阻高密度的单元设计
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笔记本、便携式设备等
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型号 |
功能 |
适用范围 |
封装 |
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18V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
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P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT23-3 |
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电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
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30V P 沟道 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT-23 |
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20V P 沟道增加型 MOS 场效应管 |
TFT屏、数码相机、便携式小音响等 |
SOP-8 |
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P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT23 |
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-30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOT23-6 |
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20V 高密度 P 沟道 MOS 管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
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双重增强型 MOSFET(N-P 沟道) |
笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统 |
SOP-8 |
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20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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