用于笔记本电脑的电源管理系统便携式设备和供电系统双重增强型MOSFET CXMS5262超高密度电池设计可靠耐用
N 沟道 20V/7A
RDS(ON)=12mΩ（typ.）@VGS=4.5V
RDS(ON)=17mΩ（typ.）@VGS=2.5V
P 沟道 -20V/-5.5A
RDS(ON)=33mΩ （typ.）@VGS= -4.5V
RDS(ON)=45mΩ （typ.）@VGS= -2.5V
超高密度电池设计
[ CXMS5262 ]
产品技术资料帮助
查看全部>
产品概述 返回TOP
P 沟道 -20V/-5.5A
RDS(ON)=33mΩ （typ.）@VGS= -4.5V
RDS(ON)=45mΩ （typ.）@VGS= -2.5V
产品特点 返回TOP
超高密度电池设计
可靠耐用
封装形式：SOP-8
工作温度范围：-55~150℃
应用范围 返回TOP
用在笔记本电脑的电源管理系统
用在便携式设备和电池的供电系统
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
| MOSFET类 MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBE | |||
| 型号 | 功能 | 适用范围 | 封装 |
| CXMS5264 | 18V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 电源管理、小功率驱动等 | SOT23-3 |
| CXMS5254 | P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT23-3 |
| CXMS5256 | 电源管理、小功率驱动等 | SOT23-3 | |
| CXMS5266 | 30V P 沟道 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT-23 |
| CXMS5268 | 20V P 沟道增加型 MOS 场效应管 | TFT屏、数码相机、便携式小音响等 | SOP-8 |
| CXMS5255 | P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT23 |
| CXMS5251 | -30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOT23-6 |
| CXMS5271 | 20V 高密度 P 沟道 MOS 管 | 笔记本、便携式设备等 | SOP-8 |
| CXMS5261 | 30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 | 电源管理、小功率驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5262 | 双重增强型 MOSFET(N-P 沟道) | 笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统 | SOP-8 |
| CXMS5252 | 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5252C | 30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5252L | 30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
◀ 上一篇:CXMS5261电源管理小功率驱动等高级的加工技术极低的导通电阻高密度的单元设计
下一篇▶:30V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5252 CXMS5252C CXMS5252L先进的沟道工艺技术高密度超低电阻设计改良的成形工艺用于LED屏驱动高密度超低电阻设计先进的沟道工艺技术
|
|||||||||||||||||
