CXMS5216P沟道增强型场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,主要用于减小通态电阻。这种器件特别适合低压应用,低功耗,低功耗,在一个非常小的外形表面安装封装功耗。
超低导通电阻高密度电池设计
-30V/-4.1A RDS(ON)<88mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.1A
RDS(ON)<108mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
[ CXMS5216 ]
产品技术资料帮助
查看全部>
7.相关产品
RDS(ON)<108mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
l Subminiature surface mount package: SOT23
l Load switch
l Battery protection
技术规格书(产品PDF) 返回TOP需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!
MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管) |
|||||||
Part |
Mode |
VDS(Max) |
VGS |
ID(Max) |
RDS(on) |
Application |
Package |
Number |
|||||||
P channel |
-20V |
-8V |
-2.8A |
93mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23/SOT23-3 |
|
P channel |
-20V |
-12V |
-3.1A |
77mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23 |
|
P channel |
-30V |
-12V |
-4.2A |
55mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
P channel |
-30V |
-20V |
-2.9A |
92mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
P channel |
-30V |
-20V |
-4.1A |
46mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
P channel |
-30V |
-20V |
-6A |
46mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑨ |
SOP8/SOT89-3 |
|
Double P |
-30V |
-20V |
-6A |
53mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
|
Double P |
-30V |
-20V |
-6A |
46mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
|
Applications: ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection |
|