CXMS5222 CXMS5222-N串联N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合低压应用在外形表面安装包中有低功耗超低导通电阻高密度电池设计

产品简介

CXMS5222M3G Series N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation in a very small outline surface mount package.

产品特点返回TOPid6嘉泰姆

 30V/5.8A id6嘉泰姆

RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A id6嘉泰姆

RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4.5V, ID=5A id6嘉泰姆

RDS(ON) =37mΩ@ VGS=2.5V, ID=4A id6嘉泰姆

 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance id6嘉泰姆

 Subminiature surface mount package:SOT23-3Lid6嘉泰姆

应用范围返回TOPid6嘉泰姆

 Battery management id6嘉泰姆

 High speed switch id6嘉泰姆

 Low power DC to DC converterid6嘉泰姆

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产品封装图返回TOPid6嘉泰姆

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电路原理图返回TOPid6嘉泰姆

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Partid6嘉泰姆 Numberid6嘉泰姆	Modeid6嘉泰姆	VDS(Max)id6嘉泰姆	VGSid6嘉泰姆	ID(Max)id6嘉泰姆	RDS(on)id6嘉泰姆	Applicationid6嘉泰姆	Packageid6嘉泰姆
CXMS5213id6嘉泰姆	N channelid6嘉泰姆	20Vid6嘉泰姆	12Vid6嘉泰姆	5.2Aid6嘉泰姆	37mΩid6嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧id6嘉泰姆	SOT23id6嘉泰姆
CXMS5220id6嘉泰姆	N channelid6嘉泰姆	20Vid6嘉泰姆	8Vid6嘉泰姆	3Aid6嘉泰姆	22mΩid6嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧id6嘉泰姆	SOT23/SOT23-3id6嘉泰姆
CXMS5220-Nid6嘉泰姆	N channelid6嘉泰姆	20Vid6嘉泰姆	12Vid6嘉泰姆	5.2Aid6嘉泰姆	29mΩid6嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧id6嘉泰姆	SOT23id6嘉泰姆
CXMS5221id6嘉泰姆	Double Nid6嘉泰姆	20Vid6嘉泰姆	12Vid6嘉泰姆	6Aid6嘉泰姆	22mΩid6嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧id6嘉泰姆	SOP8id6嘉泰姆
CXMS5222id6嘉泰姆	N channelid6嘉泰姆	30Vid6嘉泰姆	12Vid6嘉泰姆	5.8Aid6嘉泰姆	25mΩid6嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧id6嘉泰姆	SOT23/SOT23-3id6嘉泰姆
CXMS5222-Nid6嘉泰姆	N channelid6嘉泰姆	30Vid6嘉泰姆	20Vid6嘉泰姆	4.4Aid6嘉泰姆	35mΩid6嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧id6嘉泰姆	SOT23id6嘉泰姆
CXMS5223id6嘉泰姆	Double Nid6嘉泰姆	20Vid6嘉泰姆	12Vid6嘉泰姆	6Aid6嘉泰姆	21mΩid6嘉泰姆	①②③④⑤id6嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP8id6嘉泰姆
CXMS5224id6嘉泰姆	Double Nid6嘉泰姆	20Vid6嘉泰姆	12Vid6嘉泰姆	5Aid6嘉泰姆	19mΩid6嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧id6嘉泰姆	TSSOP8/SOT26id6嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protectionid6嘉泰姆

CXMS5222

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