CXMS5220 CXMS5220-N系列N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造主要用于减小导通电阻超低导通电阻高密度电池设计

产品简介

CXMS5220XG CXMS5220-N Series N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation in a very small outline surface mount package

产品特点返回TOPgIi嘉泰姆

 20V/3A RDS(ON) =29mΩ@ VGS=4.5V, ID=3A RDS(ON) =36mΩ@ VGS=2.5V, ID=2A gIi嘉泰姆

 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance gIi嘉泰姆

 Subminiature surface mount package:SOT23gIi嘉泰姆

应用范围返回TOPgIi嘉泰姆

 Battery management gIi嘉泰姆

 High speed switch gIi嘉泰姆

 Low power DC to DC convertergIi嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)gIi嘉泰姆
PartgIi嘉泰姆 NumbergIi嘉泰姆	ModegIi嘉泰姆	VDS(Max)gIi嘉泰姆	VGSgIi嘉泰姆	ID(Max)gIi嘉泰姆	RDS(on)gIi嘉泰姆	ApplicationgIi嘉泰姆	PackagegIi嘉泰姆
PartgIi嘉泰姆 NumbergIi嘉泰姆	ModegIi嘉泰姆	VDS(Max)gIi嘉泰姆	VGSgIi嘉泰姆	ID(Max)gIi嘉泰姆	RDS(on)gIi嘉泰姆	ApplicationgIi嘉泰姆	PackagegIi嘉泰姆
CXMS5213gIi嘉泰姆	N channelgIi嘉泰姆	20VgIi嘉泰姆	12VgIi嘉泰姆	5.2AgIi嘉泰姆	37mΩgIi嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧gIi嘉泰姆	SOT23gIi嘉泰姆
CXMS5220gIi嘉泰姆	N channelgIi嘉泰姆	20VgIi嘉泰姆	8VgIi嘉泰姆	3AgIi嘉泰姆	22mΩgIi嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧gIi嘉泰姆	SOT23/SOT23-3gIi嘉泰姆
CXMS5220-NgIi嘉泰姆	N channelgIi嘉泰姆	20VgIi嘉泰姆	12VgIi嘉泰姆	5.2AgIi嘉泰姆	29mΩgIi嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧gIi嘉泰姆	SOT23gIi嘉泰姆
CXMS5221gIi嘉泰姆	Double NgIi嘉泰姆	20VgIi嘉泰姆	12VgIi嘉泰姆	6AgIi嘉泰姆	22mΩgIi嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧gIi嘉泰姆	SOP8gIi嘉泰姆
CXMS5222gIi嘉泰姆	N channelgIi嘉泰姆	30VgIi嘉泰姆	12VgIi嘉泰姆	5.8AgIi嘉泰姆	25mΩgIi嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧gIi嘉泰姆	SOT23/SOT23-3gIi嘉泰姆
CXMS5222-NgIi嘉泰姆	N channelgIi嘉泰姆	30VgIi嘉泰姆	20VgIi嘉泰姆	4.4AgIi嘉泰姆	35mΩgIi嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧gIi嘉泰姆	SOT23gIi嘉泰姆
CXMS5223gIi嘉泰姆	Double NgIi嘉泰姆	20VgIi嘉泰姆	12VgIi嘉泰姆	6AgIi嘉泰姆	21mΩgIi嘉泰姆	①②③④⑤gIi嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP8gIi嘉泰姆
CXMS5224gIi嘉泰姆	Double NgIi嘉泰姆	20VgIi嘉泰姆	12VgIi嘉泰姆	5AgIi嘉泰姆	19mΩgIi嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧gIi嘉泰姆	TSSOP8/SOT26gIi嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectiongIi嘉泰姆

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