CXMS5220 CXMS5220-N系列N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造主要用于减小导通电阻超低导通电阻高密度电池设计

产品简介

CXMS5220XG CXMS5220-N Series N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation in a very small outline surface mount package

产品特点返回TOP5zb嘉泰姆

 20V/3A RDS(ON) =29mΩ@ VGS=4.5V, ID=3A RDS(ON) =36mΩ@ VGS=2.5V, ID=2A 5zb嘉泰姆

 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 5zb嘉泰姆

 Subminiature surface mount package:SOT235zb嘉泰姆

应用范围返回TOP5zb嘉泰姆

 Battery management 5zb嘉泰姆

 High speed switch 5zb嘉泰姆

 Low power DC to DC converter5zb嘉泰姆

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产品封装图返回TOP5zb嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)5zb嘉泰姆
Part5zb嘉泰姆 Number5zb嘉泰姆	Mode5zb嘉泰姆	VDS(Max)5zb嘉泰姆	VGS5zb嘉泰姆	ID(Max)5zb嘉泰姆	RDS(on)5zb嘉泰姆	Application5zb嘉泰姆	Package5zb嘉泰姆
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CXMS52135zb嘉泰姆	N channel5zb嘉泰姆	20V5zb嘉泰姆	12V5zb嘉泰姆	5.2A5zb嘉泰姆	37mΩ5zb嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧5zb嘉泰姆	SOT235zb嘉泰姆
CXMS52205zb嘉泰姆	N channel5zb嘉泰姆	20V5zb嘉泰姆	8V5zb嘉泰姆	3A5zb嘉泰姆	22mΩ5zb嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧5zb嘉泰姆	SOT23/SOT23-35zb嘉泰姆
CXMS5220-N5zb嘉泰姆	N channel5zb嘉泰姆	20V5zb嘉泰姆	12V5zb嘉泰姆	5.2A5zb嘉泰姆	29mΩ5zb嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧5zb嘉泰姆	SOT235zb嘉泰姆
CXMS52215zb嘉泰姆	Double N5zb嘉泰姆	20V5zb嘉泰姆	12V5zb嘉泰姆	6A5zb嘉泰姆	22mΩ5zb嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧5zb嘉泰姆	SOP85zb嘉泰姆
CXMS52225zb嘉泰姆	N channel5zb嘉泰姆	30V5zb嘉泰姆	12V5zb嘉泰姆	5.8A5zb嘉泰姆	25mΩ5zb嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧5zb嘉泰姆	SOT23/SOT23-35zb嘉泰姆
CXMS5222-N5zb嘉泰姆	N channel5zb嘉泰姆	30V5zb嘉泰姆	20V5zb嘉泰姆	4.4A5zb嘉泰姆	35mΩ5zb嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧5zb嘉泰姆	SOT235zb嘉泰姆
CXMS52235zb嘉泰姆	Double N5zb嘉泰姆	20V5zb嘉泰姆	12V5zb嘉泰姆	6A5zb嘉泰姆	21mΩ5zb嘉泰姆	①②③④⑤5zb嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP85zb嘉泰姆
CXMS52245zb嘉泰姆	Double N5zb嘉泰姆	20V5zb嘉泰姆	12V5zb嘉泰姆	5A5zb嘉泰姆	19mΩ5zb嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧5zb嘉泰姆	TSSOP8/SOT265zb嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection5zb嘉泰姆

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