CXNP5420

高频低噪声放大 ,高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,

高频低噪声放大高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420  CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,

产品手册

产品订购

产品简介

                          目录P9I嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)P9I嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品P9I嘉泰姆

一.产品概述P9I嘉泰姆


 低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 P9I嘉泰姆

二.产品特点P9I嘉泰姆

参数P9I嘉泰姆

符号P9I嘉泰姆

极值P9I嘉泰姆

单位P9I嘉泰姆

BC 击穿电压P9I嘉泰姆

VCBOP9I嘉泰姆

20P9I嘉泰姆

VP9I嘉泰姆

EC 击穿电压P9I嘉泰姆

VCEOP9I嘉泰姆

12P9I嘉泰姆

VP9I嘉泰姆

EB 击穿电压P9I嘉泰姆

VEBOP9I嘉泰姆

3P9I嘉泰姆

VP9I嘉泰姆

集电极电流P9I嘉泰姆

ICP9I嘉泰姆

100P9I嘉泰姆

mAP9I嘉泰姆

功耗P9I嘉泰姆

PCP9I嘉泰姆

0.2P9I嘉泰姆

WP9I嘉泰姆

结温度P9I嘉泰姆

TjP9I嘉泰姆

150P9I嘉泰姆

P9I嘉泰姆

存储温度P9I嘉泰姆

TstgP9I嘉泰姆

-65-+150P9I嘉泰姆

P9I嘉泰姆

参数P9I嘉泰姆

符号P9I嘉泰姆

最小P9I嘉泰姆

值.P9I嘉泰姆

典型P9I嘉泰姆

值.P9I嘉泰姆

最大P9I嘉泰姆

P9I嘉泰姆

单位P9I嘉泰姆

条件P9I嘉泰姆

BC 击穿电压P9I嘉泰姆

BVCBOP9I嘉泰姆

20P9I嘉泰姆

   

VP9I嘉泰姆

IC=10uAP9I嘉泰姆

EC 击穿电压P9I嘉泰姆

BVCEOP9I嘉泰姆

12P9I嘉泰姆

   

VP9I嘉泰姆

IC=1mAP9I嘉泰姆

EB 击穿电压P9I嘉泰姆

BVEBOP9I嘉泰姆

3P9I嘉泰姆

   

VP9I嘉泰姆

IE=10uAP9I嘉泰姆

集电极关断电流P9I嘉泰姆

ICBOP9I嘉泰姆

   

1P9I嘉泰姆

uAP9I嘉泰姆

VCB=10VP9I嘉泰姆

发射极关断电流P9I嘉泰姆

IEBOP9I嘉泰姆

   

1P9I嘉泰姆

uAP9I嘉泰姆

VEB=1VP9I嘉泰姆

直流增益P9I嘉泰姆

HFE*1P9I嘉泰姆

90P9I嘉泰姆

130P9I嘉泰姆

170P9I嘉泰姆

 

VCE= 10V, IC=20mAP9I嘉泰姆

高频特性P9I嘉泰姆

特征频率P9I嘉泰姆

fTP9I嘉泰姆

 

5P9I嘉泰姆

 

GHzP9I嘉泰姆

VCE=10V, IC=20mAP9I嘉泰姆

三.应用范围P9I嘉泰姆


高频低噪声放大    P9I嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)P9I嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!P9I嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgP9I嘉泰姆

五.产品封装图P9I嘉泰姆


  blob.pngP9I嘉泰姆

六.电路原理图P9I嘉泰姆


   P9I嘉泰姆

七.相关芯片选择指南P9I嘉泰姆


高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)
Part No. Polarity VCEO(Max.) IC(Max.) Ft(Typical) Package Application
CXNP5419 NPN 12V 50mA 3.0GHz SOT23 LNA
CXNP5419B NPN 12V 80mA 4.0GHz SOT23 LNA
CXNP5420 NPN 12V 100mA 5.0GHz SOT23 LNA
CXNP5420B NPN 12V 200mA 5.0GHz SOT23 LNA

◀ 上一篇:CXNP5419B

返回顶部

下一篇▶:CXNP5420B