CXNP5420

高频低噪声放大 ,高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,

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产品简介

                          目录dgZ嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)dgZ嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品dgZ嘉泰姆

一.产品概述dgZ嘉泰姆


 低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 dgZ嘉泰姆

二.产品特点dgZ嘉泰姆

参数dgZ嘉泰姆

符号dgZ嘉泰姆

极值dgZ嘉泰姆

单位dgZ嘉泰姆

BC 击穿电压dgZ嘉泰姆

VCBOdgZ嘉泰姆

20dgZ嘉泰姆

VdgZ嘉泰姆

EC 击穿电压dgZ嘉泰姆

VCEOdgZ嘉泰姆

12dgZ嘉泰姆

VdgZ嘉泰姆

EB 击穿电压dgZ嘉泰姆

VEBOdgZ嘉泰姆

3dgZ嘉泰姆

VdgZ嘉泰姆

集电极电流dgZ嘉泰姆

ICdgZ嘉泰姆

100dgZ嘉泰姆

mAdgZ嘉泰姆

功耗dgZ嘉泰姆

PCdgZ嘉泰姆

0.2dgZ嘉泰姆

WdgZ嘉泰姆

结温度dgZ嘉泰姆

TjdgZ嘉泰姆

150dgZ嘉泰姆

dgZ嘉泰姆

存储温度dgZ嘉泰姆

TstgdgZ嘉泰姆

-65-+150dgZ嘉泰姆

dgZ嘉泰姆

参数dgZ嘉泰姆

符号dgZ嘉泰姆

最小dgZ嘉泰姆

值.dgZ嘉泰姆

典型dgZ嘉泰姆

值.dgZ嘉泰姆

最大dgZ嘉泰姆

dgZ嘉泰姆

单位dgZ嘉泰姆

条件dgZ嘉泰姆

BC 击穿电压dgZ嘉泰姆

BVCBOdgZ嘉泰姆

20dgZ嘉泰姆

   

VdgZ嘉泰姆

IC=10uAdgZ嘉泰姆

EC 击穿电压dgZ嘉泰姆

BVCEOdgZ嘉泰姆

12dgZ嘉泰姆

   

VdgZ嘉泰姆

IC=1mAdgZ嘉泰姆

EB 击穿电压dgZ嘉泰姆

BVEBOdgZ嘉泰姆

3dgZ嘉泰姆

   

VdgZ嘉泰姆

IE=10uAdgZ嘉泰姆

集电极关断电流dgZ嘉泰姆

ICBOdgZ嘉泰姆

   

1dgZ嘉泰姆

uAdgZ嘉泰姆

VCB=10VdgZ嘉泰姆

发射极关断电流dgZ嘉泰姆

IEBOdgZ嘉泰姆

   

1dgZ嘉泰姆

uAdgZ嘉泰姆

VEB=1VdgZ嘉泰姆

直流增益dgZ嘉泰姆

HFE*1dgZ嘉泰姆

90dgZ嘉泰姆

130dgZ嘉泰姆

170dgZ嘉泰姆

 

VCE= 10V, IC=20mAdgZ嘉泰姆

高频特性dgZ嘉泰姆

特征频率dgZ嘉泰姆

fTdgZ嘉泰姆

 

5dgZ嘉泰姆

 

GHzdgZ嘉泰姆

VCE=10V, IC=20mAdgZ嘉泰姆

三.应用范围dgZ嘉泰姆


高频低噪声放大    dgZ嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)dgZ嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!dgZ嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgdgZ嘉泰姆

五.产品封装图dgZ嘉泰姆


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六.电路原理图dgZ嘉泰姆


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七.相关芯片选择指南dgZ嘉泰姆


高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)
Part No. Polarity VCEO(Max.) IC(Max.) Ft(Typical) Package Application
CXNP5419 NPN 12V 50mA 3.0GHz SOT23 LNA
CXNP5419B NPN 12V 80mA 4.0GHz SOT23 LNA
CXNP5420 NPN 12V 100mA 5.0GHz SOT23 LNA
CXNP5420B NPN 12V 200mA 5.0GHz SOT23 LNA

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