CXCN5397A11BOMR

The CXCN5397A11BOMR is an N-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. In order to counter static, a gate protect diode is built-in. The small SOT-23 package makes high density mounting possible.

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The CXCN5397A11BOMR is an N-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. In order to counter static, a gate protect diode is built-in. The small SOT-23 package makes high density mounting possible.

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●Notebook PCs GVW嘉泰姆

●Cellular and portable phones GVW嘉泰姆

●On-board power supplies GVW嘉泰姆

●Li-ion battery systemsGVW嘉泰姆

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产品名称GVW嘉泰姆

封装GVW嘉泰姆

RdsGVW嘉泰姆

(ON) (Ω) Vgs=2.5V MAXGVW嘉泰姆

RdsGVW嘉泰姆

(ON) (Ω) Vgs=4.5V GVW嘉泰姆

RdsGVW嘉泰姆

(ON) (Ω) Vgs=4.5V MAXGVW嘉泰姆

VgsoffGVW嘉泰姆

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off(V) MAXGVW嘉泰姆

CissGVW嘉泰姆

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(A)GVW嘉泰姆

驱动GVW嘉泰姆

电压GVW嘉泰姆

(V)GVW嘉泰姆

CXCN5397A11BOMRGVW嘉泰姆

SOT23GVW嘉泰姆

 

0.13GVW嘉泰姆

0.17GVW嘉泰姆

1GVW嘉泰姆

3GVW嘉泰姆

150GVW嘉泰姆

30GVW嘉泰姆

20GVW嘉泰姆

1GVW嘉泰姆

4.5GVW嘉泰姆

CXCN5397A12B2MRGVW嘉泰姆

SOT23GVW嘉泰姆

0.16GVW嘉泰姆

0.075GVW嘉泰姆

0.1GVW嘉泰姆

0.7GVW嘉泰姆

1.4GVW嘉泰姆

180GVW嘉泰姆

20GVW嘉泰姆

12GVW嘉泰姆

1GVW嘉泰姆

2.5GVW嘉泰姆

CXCN5397A13BOMRGVW嘉泰姆

SOT23GVW嘉泰姆

0.14GVW嘉泰姆

0.075GVW嘉泰姆

0.1GVW嘉泰姆

0.5GVW嘉泰姆

1.2GVW嘉泰姆

220GVW嘉泰姆

20GVW嘉泰姆

8GVW嘉泰姆

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1.5GVW嘉泰姆

CXCN5398A11A1PRGVW嘉泰姆

SOT89GVW嘉泰姆

 

0.075GVW嘉泰姆

0.105GVW嘉泰姆

1GVW嘉泰姆

2.5GVW嘉泰姆

270GVW嘉泰姆

30GVW嘉泰姆

20GVW嘉泰姆

4GVW嘉泰姆

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CXCN5398A1265PRGVW嘉泰姆

SOT89GVW嘉泰姆

0.095GVW嘉泰姆

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CXCN5398A1355PRGVW嘉泰姆

SOT89GVW嘉泰姆

0.07GVW嘉泰姆

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