CXCP5396A11E5MR

CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR是一种P沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性,由于高速开关是可能的,因此可以有效地设置集成电路,从而节省能源。为了抗静电,内置了栅极保护二极管。

CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR是P沟道功率MOSFET有低导通电阻和超高速开关特性高速开关是可能的有效地设置集成电路内置了栅极保护二极管。

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1.产品概述       2.产品特点     hZm嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)hZm嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图  hZm嘉泰姆

7.相关产品hZm嘉泰姆

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   The CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR is an P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy.In order to counter static, a gate protect diode is built-in.hZm嘉泰姆

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●Notebook PCs hZm嘉泰姆

●Cellular and portable phones hZm嘉泰姆

●On-board power supplies hZm嘉泰姆

●Li-ion battery systemshZm嘉泰姆

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功率MOSFET  P沟道hZm嘉泰姆

产品名称hZm嘉泰姆

封装hZm嘉泰姆

Rds(ON)hZm嘉泰姆

(Ω)MAXhZm嘉泰姆

Vgs=2.5VhZm嘉泰姆

Rds(ON) hZm嘉泰姆

(Ω) hZm嘉泰姆

Vgs=4.5VhZm嘉泰姆

Rds(ON) hZm嘉泰姆

(Ω) hZm嘉泰姆

Vgs=4.5V hZm嘉泰姆

MAXhZm嘉泰姆

VgshZm嘉泰姆

(off) hZm嘉泰姆

(V)hZm嘉泰姆

MINhZm嘉泰姆

Vgs(off) hZm嘉泰姆

(V) MAXhZm嘉泰姆

CisshZm嘉泰姆

(pF)hZm嘉泰姆

VdsshZm嘉泰姆

(V)hZm嘉泰姆

VgsshZm嘉泰姆

(V)hZm嘉泰姆

Id(A)hZm嘉泰姆

驱动hZm嘉泰姆

电压hZm嘉泰姆

(V)hZm嘉泰姆

CXCP5394A11COPRhZm嘉泰姆

SOT-89hZm嘉泰姆

 

0.2hZm嘉泰姆

0.28hZm嘉泰姆

-1hZm嘉泰姆

-2.5hZm嘉泰姆

280hZm嘉泰姆

-30hZm嘉泰姆

20hZm嘉泰姆

-2.5hZm嘉泰姆

-4.5hZm嘉泰姆

CXCP5394A12A6PRhZm嘉泰姆

SOT-89hZm嘉泰姆

0.3hZm嘉泰姆

0.13hZm嘉泰姆

0.17hZm嘉泰姆

-0.5hZm嘉泰姆

-1.2hZm嘉泰姆

310hZm嘉泰姆

-20hZm嘉泰姆

12hZm嘉泰姆

-2.5hZm嘉泰姆

-2.5hZm嘉泰姆

CXCP5395A0003MRhZm嘉泰姆

SOT-23hZm嘉泰姆

 

0.067hZm嘉泰姆

0.095hZm嘉泰姆

-1.2hZm嘉泰姆

-2.6hZm嘉泰姆

435hZm嘉泰姆

-30hZm嘉泰姆

20hZm嘉泰姆

-3hZm嘉泰姆

-4hZm嘉泰姆

CXCP5395A0003PRhZm嘉泰姆

SOT-89hZm嘉泰姆

 

0.07hZm嘉泰姆

0.1hZm嘉泰姆

-1.2hZm嘉泰姆

-2.6hZm嘉泰姆

450hZm嘉泰姆

-30hZm嘉泰姆

20hZm嘉泰姆

-5hZm嘉泰姆

-4hZm嘉泰姆

CXCP5396A11E5MRhZm嘉泰姆

SOT-23hZm嘉泰姆

 

0.35hZm嘉泰姆

0.45hZm嘉泰姆

-1hZm嘉泰姆

-3hZm嘉泰姆

160hZm嘉泰姆

-30hZm嘉泰姆

20hZm嘉泰姆

-0.7hZm嘉泰姆

-4.5hZm嘉泰姆

CXCP5396A12COMRhZm嘉泰姆

SOT-23hZm嘉泰姆

0.5hZm嘉泰姆

0.23hZm嘉泰姆

0.3hZm嘉泰姆

-0.5hZm嘉泰姆

-1.2hZm嘉泰姆

180hZm嘉泰姆

-20hZm嘉泰姆

12hZm嘉泰姆

-0.7hZm嘉泰姆

-2.5hZm嘉泰姆

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