CXMS5192

CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用,例如移动电话,笔记本
电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON))

CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路

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产品简介

                          目录F4V嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)F4V嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品F4V嘉泰姆

一.产品概述F4V嘉泰姆


  CXMS5192SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。F4V嘉泰姆

这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用,例如移动电话,笔记本F4V嘉泰姆

电脑的电源管理和其他电池的电源电路。F4V嘉泰姆

二.产品特点F4V嘉泰姆


● -30V/-4A F4V嘉泰姆

 RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A F4V嘉泰姆

 RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A F4V嘉泰姆

● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)) F4V嘉泰姆

●  采用带散热片的 SOP8 封装(散热片和D端短接)F4V嘉泰姆

三.应用范围F4V嘉泰姆


● 电源管理 F4V嘉泰姆

● 负载开关 F4V嘉泰姆

● 电池保护 F4V嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)F4V嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!F4V嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgF4V嘉泰姆

五.产品封装图F4V嘉泰姆


  blob.pngF4V嘉泰姆

六.电路原理图F4V嘉泰姆


参数F4V嘉泰姆

符号F4V嘉泰姆

极限值F4V嘉泰姆

单位F4V嘉泰姆

漏级电压F4V嘉泰姆

VDSSF4V嘉泰姆

-30VF4V嘉泰姆

VF4V嘉泰姆

栅级电压F4V嘉泰姆

VGSSF4V嘉泰姆

±20F4V嘉泰姆

VF4V嘉泰姆

漏级电流F4V嘉泰姆

IDF4V嘉泰姆

-4F4V嘉泰姆

AF4V嘉泰姆

允许最大功耗F4V嘉泰姆

PDF4V嘉泰姆

2F4V嘉泰姆

WF4V嘉泰姆

工作温度F4V嘉泰姆

TOprF4V嘉泰姆

150F4V嘉泰姆

F4V嘉泰姆

存贮温度F4V嘉泰姆

TstgF4V嘉泰姆

-65/150F4V嘉泰姆

℃   F4V嘉泰姆

七.相关芯片选择指南F4V嘉泰姆


系列名称 输入电压 (V) 输出电压 (V) 最大输出电流 (A) 封装 特点
最小 最大 最小 标准 最大
CXMS5191    30V        4 SOP8 P沟道增强型场效应管
CXMS5192    30V        4 SOP8 带散热片P沟道增强型场效应管

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