CXMS5191

CXMS5191 P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS
沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应
用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON))

CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路

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产品简介

                          目录zyF嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)zyF嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品zyF嘉泰姆

一.产品概述zyF嘉泰姆


  CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOSzyF嘉泰姆

沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应zyF嘉泰姆

用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。zyF嘉泰姆

二.产品特点zyF嘉泰姆


●    -30V/-4A zyF嘉泰姆

  RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A zyF嘉泰姆

  RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A zyF嘉泰姆

● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)) zyF嘉泰姆

● 采用SOP8封装zyF嘉泰姆

三.应用范围zyF嘉泰姆


●    电源管理 zyF嘉泰姆

● 负载开关 zyF嘉泰姆

● 电池保护    zyF嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)zyF嘉泰姆


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 QQ截图20160419174301.jpgzyF嘉泰姆

五.产品封装图zyF嘉泰姆


 blob.png zyF嘉泰姆

六.电路原理图zyF嘉泰姆


参数zyF嘉泰姆

符号zyF嘉泰姆

极限值zyF嘉泰姆

单位zyF嘉泰姆

漏级电压zyF嘉泰姆

VDSSzyF嘉泰姆

-30VzyF嘉泰姆

VzyF嘉泰姆

栅级电压zyF嘉泰姆

VGSSzyF嘉泰姆

±20zyF嘉泰姆

VzyF嘉泰姆

漏级电流zyF嘉泰姆

IDzyF嘉泰姆

-4zyF嘉泰姆

AzyF嘉泰姆

允许最大功耗zyF嘉泰姆

PDzyF嘉泰姆

2zyF嘉泰姆

WzyF嘉泰姆

工作温度zyF嘉泰姆

TOprzyF嘉泰姆

150zyF嘉泰姆

zyF嘉泰姆

存贮温度zyF嘉泰姆

TstgzyF嘉泰姆

-65/150zyF嘉泰姆

℃   zyF嘉泰姆

七.相关芯片选择指南zyF嘉泰姆


系列名称 输入电压 (V) 输出电压 (V) 最大输出电流 (A) 封装 特点
最小 最大 最小 标准 最大
CXMS5191    30V        4 SOP8 P沟道增强型场效应管
CXMS5192    30V        4 SOP8 带散热片P沟道增强型场效应管

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