电流采样与保护电路
采样电阻选择：
阻值计算：根据峰值电流 Ipeak=2.5A 及运放输入范围，选取 Rshunt=0.1Ω，功耗 P=I2R=0.625W（需选1W以上功率电阻）。
布局优化：采用开尔文连接（四线制）减少温漂误差。
运放调理电路：
使用差分放大电路（如LM358），增益 G=20，将50mV采样信号放大至1V，便于MCU ADC检测。
增加RC低通滤波（截止频率1kHz），抑制高频噪声。
驱动芯片与MOSFET选型
驱动芯片：
CXLE82113：支持3A驱动电流，内置DESAT保护，可直接检测VDS压降，适配2.5A峰值场景。
集成电流检测放大器，支持±3.2A峰值输出，内置硬件过流闭锁（响应时间<1μs）。
MOSFET选型：
选择低导通电阻（RDS(on)<50mΩ）的N沟道MOS，（RDS(on)=28mΩ@4.5V），确保2.5A时导通损耗 P=I2R=0.175W。
耐压需高于系统最大输入电压（如30V）。
硬件闭锁触发逻辑
比较器阈值设置：
根据2.5A峰值，对应采样电压 Vshunt=I×R=0.25V，设置比较器阈值为0.25V，超限时触发RS锁存器闭锁驱动信号。
抗干扰设计：
在比较器输入侧并联TVS二极管（如SMAJ5.0A），抑制电压尖峰。
ADC实时监控
采样频率：≥10kHz（确保捕捉电流瞬态峰值），配合DMA传输减少MCU负载。
软件滤波：
采用滑动窗口平均滤波（窗口大小10点），消除随机噪声。
设定动态阈值：允许瞬时超限（如<10ms）不触发保护，避免误动作。
分级保护机制
| 电流范围 | 响应措施 | 恢复方式 |
|---|---|---|
| 2.0A~2.5A（短时） | PWM占空比线性限流 | 自动恢复 |
| >2.5A持续>10ms | 触发闭锁保护，关闭PWM输出 | 需手动复位或断电重启 |
| >3.0A（瞬时） | 硬件直接闭锁（优先级最高） | 外部复位信号解除 |
故障诊断与记录
闭锁触发时，MCU记录故障时的电流、温度及运行时间，存入Flash或通过UART输出日志。
支持故障代码显示（如LED闪烁模式），便于快速排查问题。
PCB布局优化
温升估算与验证
稳态温升计算：
实测验证：使用热电偶或红外热像仪监测MOSFET表面温度，确保峰值工况下温升<15℃。
| 场景 | 推荐方案 | 核心优势 |
|---|---|---|
| 低成本便携设备 | CXLE82113 + 分立电流采样电路 | 硬件闭锁响应快，BOM成本低 |
| 高精度闭环控制 | ADC监控 | 集成电流检测，软件限流策略灵活 |
| 超紧凑设计 | IPM模块 | 集成驱动与保护，减少PCB面积 |
硬件测试：
软件验证：
注入阶跃电流信号，检查软件滤波算法对瞬态噪声的抑制效果。
模拟持续过流（>10ms），确认分级保护逻辑正确触发。
通过上述设计，2.5A峰值电流系统可在保证性能的同时实现可靠保护。关键点在于硬件闭锁的快速响应（<5μs）与软件滤波的抗干扰平衡，具体参数需根据实际负载特性调整。
