CXLE8314是一款高精度的非隔离降压型LED控制器,适用于85V~265V全电压范围的小功率非隔离降压型LED照明应用。CXLE8314内置了高精度的采样、补偿电路,使得电路能够达到 ±3%以内的恒流精度,并且能够实现输出电流对电感与输出电压的自适应,从而取得优异的线型调整率和负载调整率。CXLE8314内部集成了500V功率MOSFET,无需次级反馈电路,也无需补偿电路,加之精准稳定的自适应技术,使得系统外围结构十分简单,可在外围器件数量少,参数范围宽松的条件下实现高精度恒流控制,极大地节约了系统成本和体积,并且能够确保在批量生产时LED灯具参数的一致性。CXLE8314具有丰富的保护功能:输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出过压保护、过温自适应调节等
1.)内部集成500V 功率管
2.)±3%以内的系统恒流精度
3.)芯片超低工作电流
4.)无需辅助供电电路
5.)电感电流临界连续模式
6.)宽输入电压
7.)输出短路保护
8.)采样电阻开短路保护
9.)输出过压保护
10.)欠压保护
11.)过温自适应调节功能
12.)简洁的系统拓补,外围器件极少
[ CXLE8314 ]
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目录
1.产品概述 2.产品特点
3.应用范围 4.下载产品资料PDF文档
5.产品封装图 6.电路原理图
7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
CXLE8314是一款高精度的非隔离降压型LED控制器,适用于85V~265V全电压范围的小功率非隔离降压型LED照明应用。CXLE8314内置了高精度的采样、补偿电路,使得电路能够达到 ±3%以内的恒流精度,并且能够实现输出电流对电感与输出电压的自适应,从而取得优异的线型调整率和负载调整率。CXLE8314内部集成了500V功率MOSFET,无需次级反馈电路,也无需补偿电路,加之精准稳定的自适应技术,使得系统外围结构十分简单,可在外围器件数量少,参数范围宽松的条件下实现高精度恒流控制,极大地节约了系统成本和体积,并且能够确保在批量生产时LED灯具参数的一致性。CXLE8314具有丰富的保护功能:输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出过压保护、过温自适应调节等。
二.产品特点(Features)
1.)内部集成500V 功率管
2.)±3%以内的系统恒流精度
3.)芯片超低工作电流
4.)无需辅助供电电路
5.)电感电流临界连续模式
6.)宽输入电压
7.)输出短路保护
8.)采样电阻开短路保护
9.)输出过压保护
10.)欠压保护
11.)过温自适应调节功能
12.)简洁的系统拓补,外围器件极少
三,应用范围 (Applications)
LED 恒流驱动芯片
四.下载产品资料PDF文档
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五,产品封装图 (Package)
引脚号 |
符号 |
功能 |
1 |
GND |
电源地 |
2 |
RADJ |
设置开路保护电压,外接电阻 |
3 |
NC |
空脚 |
4 |
VDD |
工作电源 |
5 |
DRN |
内部 MOSFET 的漏端 |
6 |
DRN |
内部 MOSFET 的漏端 |
7 |
ISEN |
电流采样,外接电阻到地 |
8 |
ISEN |
电流采样,外接电阻到地 |
六.电路原理图
七,功能概述
CXLE8314是一款专用于 LED 照明的恒流驱动芯片,芯片内部集成500V 高压 MOSFET,工作在CRM模
式,适合全电压范围工作,具有良好的线性调整率、负载调整率以及优异的恒流特性,只需很少的外围
元器件就能实现低成本高效率的 LED 恒流控制器。
启动:
CXLE8314启动电流很低,当系统上电后,启动电阻对 VDD 电容进行充电,当 VDD 达到开启阈值时,
电路即开始工作。CXLE8314正常工作时,内部电路的工作电流可以低至135μA 以下,并且内部具有独特
的供电机制,因此无需辅助绕组供电。
保护功能:
CXLE8314设定了多种保护功能,如LED开短路保护、ISEN电阻开短路保护、VDD过压/欠压、电路
过温自适应调节等。在工作时,自动监测着各种工作状态,如果负载开路时,则电路将立刻进入过压保护状
态,关断内部MOS管,同时进入间隔检测状态,当故障恢复后,电路也将自动回复到正常工作状态;若
负载短路,系统将工作在5KHz左右的低频状态,功耗很低,同时不断监测系统,若负载恢复正常,则电
路也将恢复正常工作;若当ISEN电阻短路,或者电感饱和等其他故障发生,电路内部快速保护机制也将
立即停止MOS的开关动作,停止运行,此时,电路工作电源也将下降,当触发UVLO电路时,系统将会
重启,如此,可以实现保护功能的触发、重启工作机制。若工作过程中,监测到电路结温度超过过温调节阈值(155℃)时,电路将进入过温调节控制状态,减小输出电流,以控制输出功率和温升,使得系统能够保持一个稳定的工作温度范围。
PCB 设计注意事项:
VDD 的旁路电容十分关键,PCB 板 layout 时需要尽量靠近 VDD 及 GND 引脚。电感的充放电回路要尽量短,母线电容、续流二极管、输出电容等功率环路面积要尽量小,芯片距离功率器件也尽量远,从而减小 EMI 以及保证电路安全稳定工作。
电路地线及其他小信号的地线须与采样电阻地线分开布线,尽量缩短与电容的距离。RADJ 外接电阻需要尽量靠近 RADJ 引脚,并且就近接地。NC 引脚建议连接到芯片地(PIN1),有条件时可用地线将 RADJ 电阻环绕。DRN 引脚(PIN5、PIN6)的敷铜面积尽量大,以提高芯片散热。
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非隔离降压LED驱动IC |
||||||||||
型号 |
工作电压围 |
内置MOS |
输出功率 |
输出电流 |
输出电 流精度 |
基准电压 |
PF值 |
封装 |
备注 |
|
85Vac-265Vac |
500V/0.8A MOS |
9W以内 |
最大255mA |
3% |
0.4V |
0.5 |
95% |
SOP-8 |
||
85Vac-266Vac |
500V/1A MOS |
18W/28W |
最大330mA |
3% |
0.4V |
0.5 |
95% |
SOP8/DIP8 |
||
85Vac-266Vac |
500V/2A MOS |
36W以内 |
最大400mA 可调 |
3% |
0.4V |
0.5 |
95% |
SOP8/DIP8 |
||
85Vac-265Vac |
500V/3A MOS |
50W以内 |
最大490mA 可调 |
3% |
0.4V |
0.5 |
195% |
DIP8 |
||
85Vac-265Vac |
600V/1.5A MOS |
12W以内 |
可调 |
3% |
0.2V |
0.9 |
95% |
SOP8 |
||
85Vac-265Vac |
600V/2.0A MOS |
20W/30W以内 |
可调 |
3% |
0.2V |
0.9 |
95% |
SOP8 |
||
85Vac-265Vac |
外置MOS |
60W以内 |
可调 |
3% |
0.2V |
0.9 |
95% |
SOT26 |
||
85Vac-265Vac |
500V/0.8A MOS |
9W以内 |
最大255mA 可调 |
3% |
0.4V |
0.5 |
95% |
SOP8 |
通过开关4/3段调光 |
|
85Vac-266Vac |
500V/1A MOS |
18W以内 |
最大330mA 可调 |
3% |
0.4V |
0.5 |
95% |
SOP8 |
通过开关4/3段调光 |
|
85Vac-266Vac |
500V/2A MOS |
36W以内 |
最大400mA 可调 |
3% |
0.4V |
0.5 |
95% |
SOP8/DIP7 |
通过开关4/3段调光 |
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