CXLE8416 CXLE8417是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流
控制芯片, 适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。CXLE8416 
CXLE8417集成有源功率因数校正电路,可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。
由于工作在电感电流临界连续模式, 功率MOS 管处于零电流开通状态,开关损耗得以减
小,同时变压器的利用率也较高。
      CXLE8416 CXLE8417工作于原边反馈模式,无需次级反馈电路,即可实现高精度输
出恒流控制,节约了系统成本和体积,提高了系统的可靠性。 CXLE8416 CXLE8417内
部集成700V功率MOSFET,只需要很少的外围器件,节约了系统成本和体积,提高了系
统的可靠性。
     CXLE8416 CXLE8417线电压调整率和负载调整率参数优异,同时线电压补偿系数还
可以通过外部元件灵活调整。
    CXLE8416 CXLE8417内置多重保护功能来加强系统可靠性,包括LED开路保护、LED
短路保护、芯片供电过压保护、欠压保护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有
的保护都具有自动重启功能。另外,CXLE8416 CXLE8417具有过热调节功能,在驱动电
源过热时减小输出电流,以提高系统的可靠性。CXLE8416 CXLE8417采用SOP-8/DIP-7
封装。
单级、有源功率因数校正,高PF 值,低THD
内置700V 高压功率MOSFET
原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低启动电流
FB 反馈电阻值高,功耗低
LED 开路/短路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期原边电流限流
芯片供电过压/欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
 
[ CXLE8416 ]
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目录
1.产品概述       2.产品特点     3.应用范围      4.技术规格书下载(产品PDF文档) 
5.产品封装图   6.电路原理图  7.功能概述      8.相关产品
一,产品概述(General Description)
   CXLE8416 CXLE8417是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流控制芯片, 适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。CXLE8416 CXLE8417集成有源功率因数校正电路,可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式, 功率MOS 管处于零电流开通状态,开关损耗得以减小,同时变压器的利用率也较高。
      CXLE8416 CXLE8417工作于原边反馈模式,无需次级反馈电路,即可实现高精度输出恒流控制,节约了系统成本和体积,提高了系统的可靠性。 CXLE8416 CXLE8417内部集成700V功率MOSFET,只需要很少的外围器件,节约了系统成本和体积,提高了系统的可靠性。
     CXLE8416 CXLE8417线电压调整率和负载调整率参数优异,同时线电压补偿系数还可以通过外部元件灵活调整。    CXLE8416 CXLE8417内置多重保护功能来加强系统可靠性,包括LED开路保护、LED短路保护、芯片供电过压保护、欠压保护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有的保护都具有自动重启功能。另外,CXLE8416 CXLE8417具有过热调节功能,在驱动电源过热时减小输出电流,以提高系统的可靠性。CXLE8416 CXLE8417采用SOP-8/DIP-7
封装。
二.产品特点(Features)
单级、有源功率因数校正,高PF 值,低THD
内置700V 高压功率MOSFET
原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低启动电流
FB 反馈电阻值高,功耗低
LED 开路/短路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期原边电流限流
芯片供电过压/欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
三,应用范围 (Applications)
LED
四.技术规格书下载(产品PDF)
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五,产品封装图 (Package)
 
| 引脚号 | 符号 | 功能 | 
| 1 | COMP | 环路补偿点 | 
| 2 | VDD | 芯片电源 | 
| 3 | FB | 反馈信号采样端 | 
| 4 | ISEN | 电流采样端,接采样电阻到地 | 
| 5、6 | DRAIN | 内部 MOSFET 的漏端 | 
| 7、8 | GND | 芯片地 | 
六.电路原理图

七,功能概述
| 项目 | 符号 | 参数范围 | 单位 | 
| 电源电压 | VDD | -0.3~25 | V | 
| VDD 引脚最大钳位电流 | ICC_MAX | 5 | mA | 
| 环路补偿点电压 | VCOMP | -0.3~6 | V | 
| 辅助绕组的反馈端电压 | VFB | -0.3~6 | V | 
| 电流采样端电压 | VISEN | -0.3~6 | V | 
| 内部功率 MOSFET 漏极到源极的峰值电压 | VMOS-DS | -0.3~700 | V | 
| o | Ptot | 0.45@ SOP-8 | W | 
| 0.90@ DIP-7 | |||
| 热阻结-环境 | |||
| Rthj-a | 145@ SOP-8 | ℃/W | |
| 80@ DIP-7 | |||
| 工作结温范围 | |||
| TJ | -40~150 | ℃ | |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 | ℃ | 
| ESD | 2,000 | V | 
八,相关芯片选择指南
| 隔离产品 | |||||
| 产品型号 | 隔离/非隔离 | 内置功率管 | 封装形式 | 功率范围 | |
| Y | MOSFET,650V/0.8A | SOP-8 | 5-7W | (SOP-8)_CN | |
| Y | MOSFET,650V/1.2A | SOP-8 | 7-9W | (SOP-8)_CN | |
| Y | MOSFET,650/2.0A | DIP-7 | 12-18W | (DIP-7)_CN | |
| Y | MOSFET,700V/3.0A | SOP-8,DIP-7 | 12-18W | (SOP-8&DIP-7)_CN | |
| Y | MOSFET,700V/4.0A | DIP-7 | 18-24W | (DIP-7)_CN | |
| Y | MOSFET,BJT | SOP-8 | UP to 60W | (SOP-8)_CN | |
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