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CXSD62684

在高压大电流电源领域，CXSD62684作为首款采用纯数字算法电流模式控制的同步降压控制器，凭借600V超高输入耐压、30A恒流输出及软件可配置保护机制，正在颠覆新能源汽车、工业机器人等高要求场景的电源设计。其独创的防倒流算法与多机并联均流技术，为工程师提供前所未有的灵活性与可靠性

CXSD62684数字降压控制器：600V输入/30A输出，智能算法重塑工业电源设计

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产品简介

CXSD62684：革命性数字降压控制器，解锁工业电源的智能未来ZBT嘉泰姆

         在高压大电流电源领域，CXSD62684作为首款采用纯数字算法电流模式控制的同步降压控制器，凭借600V超高输入耐压、30A恒流输出及软件可配置保护机制，正在颠覆新能源汽车、工业机器人等高要求场景的电源设计。其独创的防倒流算法与多机并联均流技术，为工程师提供前所未有的灵活性与可靠性。ZBT嘉泰姆

一、三大技术突破定义行业新标准

1. 数字算法电流模式控制ZBT嘉泰姆

a.无需外部斜波补偿：独创数字内核实时检测电感电流/电压变化ZBT嘉泰姆

b.100kHz PWM+双模COT调制：支持0-100%占空比，效率提升12%ZBT嘉泰姆

c.15μs瞬态响应：快速应对负载突变（对比传统方案提速3倍）ZBT嘉泰姆

2. 智能保护生态系统ZBT嘉泰姆

保护类型
技术亮点
性能参数
纯算法控制，无额外硬件
支持无限时长短路
防倒流
实时监测电感电流方向
避免输出电流回灌
温度PID控制
双通道NTC采样（TEMP1/TEMP2）
±1℃精度，迟滞可调
输入保护
OVP/UVLO带迟滞功能
阈值软件可设

3. 扩展性革命ZBT嘉泰姆

a.多机并联均流：通过下垂系数Rdroop​自动平衡电流（省去额外采样电路）ZBT嘉泰姆

b.UART通信接口：9600bps波特率，支持参数实时配置与故障诊断ZBT嘉泰姆

c.LED智能指示：红绿灯充电状态+7类故障编码闪烁（详见表9-1）ZBT嘉泰姆

二、核心应用场景落地指南

1. 新能源汽车DC-DC转换器（48-72V→12V/30A）设计要点：ZBT嘉泰姆

a.驱动电路：PWM_H/PWM_L输出死区时间100-500ns可调（图8-8）ZBT嘉泰姆

b.电流采样：低端MOS采样方案（图8-3），成本降低40%ZBT嘉泰姆

c.电感选型：（纹波电流按30%计）ZBT嘉泰姆

2. MPPT太阳能控制器  优势特性：ZBT嘉泰姆

a.轻载功耗<50mW（VDD静态电流典型值30mA）ZBT嘉泰姆

b.温度补偿PID自动调整功率点ZBT嘉泰姆

c.输入欠压保护防止电池过放ZBT嘉泰姆

3. 工业机器人伺服电源  关键设计：ZBT嘉泰姆

a.并联均流：3模块并联实现90A输出（Rdroop​=0.05V/A）ZBT嘉泰姆

b.故障诊断：UART实时回传温度/电流数据（协议见图10-2）ZBT嘉泰姆

三、硬件设计黄金法则

1. 采样电路精度优化ZBT嘉泰姆

采样类型
电路设计公式
布局要点
输出电压
VOUT​=Vout×R21/(R18+R21​)
C22≤10nF近引脚
输入电压
VIN​=Vin×R22/(R17+R22​)
R22≤2kΩ（例：90V→2.62V）
温度
VTEMP​=3.3V×NTC/(R24+NTC​)
B值3950热敏电阻

2. 驱动电路设计（图8-8）ZBT嘉泰姆

a.自举电容C5：推荐0.1μF/25VZBT嘉泰姆

b.栅极电阻R2/R6：按MOS管Qg值计算（例：IRF3710推荐4.7Ω）ZBT嘉泰姆

c.死区时间：200ns典型值（通过DT引脚配置）ZBT嘉泰姆

3. 通信接口应用ZBT嘉泰姆

a.参数读写ZBT嘉泰姆

# 读取输出电压示例（HEX小端模式）ZBT嘉泰姆
CMD = 0x52     # 读命令ZBT嘉泰姆
ADDRESS = 0x2010     # Vout寄存器地址ZBT嘉泰姆
DATA = [0x04]    # 读取4字节ZBT嘉泰姆

b.故障诊断:主动发送帧（CMD=0x53）包含过温/过压编码ZBT嘉泰姆

四、对比传统方案的性能飞跃

指标 CXSD62684 传统模拟方案 提升幅度
开发周期 参数软件配置（调试助手） 硬件迭代 缩短70%
短路保护成本 零外部器件 需比较器+逻辑电路 降本$0.3
轻载效率（10%负载） 88% 76% +12%
均流精度 ±3% ±10% 提升3倍

五、终端案例：电摩DC-DC转换器（图6-1）

48-72V→12V/30A方案实测数据ZBT嘉泰姆

1.效率曲线：满载95%@72V → 轻载91%@5%负载ZBT嘉泰姆

2.温度控制：ZBT嘉泰姆

a.智能PID将MOS管温升控制在≤40℃（环境25℃）ZBT嘉泰姆

b.过温保护阈值155℃（迟滞15℃）ZBT嘉泰姆

3.故障响应：ZBT嘉泰姆

a.输入欠压（<45V）：3ms内关闭PWMZBT嘉泰姆

b.输出短路：限流30.5A±0.5AZBT嘉泰姆

六.应用电路设计ZBT嘉泰姆
       1 供电电源ZBT嘉泰姆
             CXSD62684 共有三处供电电源，分别为  AVDD、VDDIO 和  VDD，其中  AVDD 为内部模拟外设供ZBT嘉泰姆
       电电源，推荐电压值为+3.3V，推荐电流值大于  0.1A，VDDIO 为内部数字电路供电电源，推荐ZBT嘉泰姆
        电压值为+3.3V，推荐电流值大于  0.1A，VDD 为内部  1.2V LDO 输出端口，推荐外部电容设置如ZBT嘉泰姆
       下图  8-1 所示。ZBT嘉泰姆
       ZBT嘉泰姆

2 输出电压采样ZBT嘉泰姆
        CXSD62684 的  21 脚  VOUT 为输出电压采样引脚，推荐外围电路设定如下图  8-2 所示。ZBT嘉泰姆
R18 与   R21 组成分压网络，根据最高输出电压选择阻值，推荐   VOUT 引脚的电压范围为ZBT嘉泰姆
0.33V～2.97V (注：0.1*VDD～0.9*VDD)，例如所需输出电压为   12V 时，可设   R18=10kΩ，,R21ZBT嘉泰姆
=2kΩ，计算得  VVOUT=12V/(R18+ R21)* R21 =2V，内部参考基准可在调试助手中设置。ZBT嘉泰姆
C22 用来滤除高频开关纹波，PCB 布局靠近  VOUT 引脚，为兼顾滤波效果与采样精度，推ZBT嘉泰姆
荐选取  R21≤2kΩ，C22≤10nF。ZBT嘉泰姆

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3 电流采样ZBT嘉泰姆
       CXSD62684 的  20 脚  CS 为电流采样引脚，可以选择采样  MOS 管电流或电感电流进行设计，推ZBT嘉泰姆
荐使用低成本低端电流采样设计，外围电路设计如下图  8-3 所示。ZBT嘉泰姆
      R7为低端MOS管电流采样电阻，当输出电流I为30A，选取R7=1mΩ，主要考虑耗散功率限制，本例中PD=IOUT2*R7ZBT嘉泰姆
=0.9W，可选用 2512/3W 封装。ZBT嘉泰姆
      R12 与  R14 为运放输入电阻，为保证差分采样对称性，推荐  R12=R14=100Ω。ZBT嘉泰姆
      R13  与    R15  分 压 得 到 直 流 偏 置 量 ， 选取   R13=10k Ω，R15=2k Ω，计 算 直 流 偏 置 量ZBT嘉泰姆
VBIAS=3.3V/(R13+R15)*R15=0.55V。ZBT嘉泰姆
     R8与R9为运放放大反馈电阻，选取R8=R13， R9=R15，计算运放放大倍数AV=(R8//R9)/R12=16.67。ZBT嘉泰姆
综上，运放输出电压 VAMPO=VSENSE*AV +VBIAS=2.80V。所以  VCS  =VAMPO=2.80V,符合推荐  CS 脚的ZBT嘉泰姆
电压范围0.33V～2.97V (注：0.1*VDD～0.9*VDD)。ZBT嘉泰姆
     R19与C20 组成低通滤波来滤除高频开关纹波，PCB布局靠近CS引脚，为兼顾滤波效果与采样精度，推荐ZBT嘉泰姆
选取R19≤1kΩ，C20≤1nF。ZBT嘉泰姆

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4 输入电压采样ZBT嘉泰姆
       CXSD62684 的  17 脚  VIN 为输入电压采样引脚，推荐外围电路设定如下图  8-4 所示。ZBT嘉泰姆
R17 与  R22 组成分压网络，根据最高输入电压选择阻值，推荐  VIN 的电压范围为  0.33V～ZBT嘉泰姆
2.97V (注：0.1*VDD～0.9*VDD)，例如所需输入电压范围为  50-90V 时，可设  R17=100kΩ，ZBT嘉泰姆
R22=2kΩ，计算得VIN =90V/(R17+ Rlow)* R22 =2.62V，内部参考基准可在调试助手中设置。ZBT嘉泰姆
        C23 用来滤除高频开关纹波，PCB 布局靠近  VIN 引脚，为兼顾滤波效果与采样精度，推荐ZBT嘉泰姆
选取  R22≤2kΩ，C23≤10nF。ZBT嘉泰姆

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5 温度采样ZBT嘉泰姆
       CXSD62684 的15 脚TEMP1、13脚TEMP2为温度采样引脚，外围电路设定如下图8-5 所示。ZBT嘉泰姆
R24 与  NTC1 组成分压网络，R24=10k，NTC1 选取规格  10k/B 值  3950 的热敏电阻，根据供ZBT嘉泰姆
应商提供的阻值与温度关系，计算出  TEMP1 的电压。例如当  NTC1 采样到的温度为  25℃时，ZBT嘉泰姆
查表可得其阻值为  10k，那么  VTEMP1=3.3V/(R24+NTC1)*NTC1=1.65V。TEMP2 的计算方法与TEMP1ZBT嘉泰姆
相同，不再赘述。ZBT嘉泰姆
    C22与C23 为采样信号滤波电容，PCB 布局时靠近相应引脚。ZBT嘉泰姆

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6 驱动+12V 电压采样ZBT嘉泰姆
      CXSD62684的16脚VAUX为驱动+12V电压采样引脚，推荐外围电路设定如下图8-6所示。ZBT嘉泰姆
R23与R26组成分压网络，根据驱动辅助电压选择阻值，推荐   VAUX 引脚的电压范围为ZBT嘉泰姆
0.33V～2.97V (注：0.1*VDD～0.9*VDD)，例如所需驱动电压为  12V 时，可设  R23=10kΩ，,R26ZBT嘉泰姆
=2kΩ，计算得  VVAUX=12V/(Rup+ Rlow)* Rlow =2V。ZBT嘉泰姆
    C26 用来滤除高频开关纹波，PCB布局靠近VAUX引脚，为兼顾滤波效果与采样精度，推荐选取R26≤2kΩ，C27≤10nF。ZBT嘉泰姆

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7 同步降压驱动电路ZBT嘉泰姆
        CXSD62684  的  14 脚  PWM_H、19 脚  PWM_L 为同步降压带死区互补  PWM 输出引脚，典型输ZBT嘉泰姆
出波形如图  8-7 所示，PWM_H 用于驱动同步降压高端  MOS 管，PWM_L 用于驱动同步降压低ZBT嘉泰姆
端  MOS 管。ZBT嘉泰姆
      外部  MOS 管半桥驱动芯片需根据实际应用场合进行选型，主要考虑参数包含耐压、驱动ZBT嘉泰姆
输出电流能力、输入输出逻辑、是否带欠压保护，典型电路设计如图  8-8 所示。PWM_H、PWM_LZBT嘉泰姆
分别通过电阻连接至驱动芯片  HIN、LIN 端，电阻为  CXSD62684 的  I/O 端口保护电阻。C5 为自举电ZBT嘉泰姆
容，D2 为自举二极管，R2、R6 为  G 极驱动电阻，根据驱动电流和  MOS 管结电容来取值，必ZBT嘉泰姆
要时增加快速关断电路。ZBT嘉泰姆
       PCB 布局时电阻靠近  CXSD62684  的引脚，C5、C8、D2 靠近驱动芯片，R2、R6 靠近  MOS 管。ZBT嘉泰姆

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8 LED 指示灯电路ZBT嘉泰姆
        CXSD62684 的  1 脚  LED_A、12 脚  LED_B 为指示灯引脚，推荐外围电路设定如下图  8-9 所示。ZBT嘉泰姆
LED 灯可作为充电指示与故障指示，充电指示为红绿灯模式，选择  D7、D6 为发光二极管，ZBT嘉泰姆
R20、R16 为限流电阻，推荐限流值≤10mA。ZBT嘉泰姆

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结语：软件定义电源的新纪元ZBT嘉泰姆

        CXSD62684通过数字内核与算法创新，解决了高压大电流场景下的效率、可靠性与成本三角矛盾。其可编程PID参数（Kp​/Ki​/Kd​）、智能均流与UART诊断能力，正推动工业电源进入“软件定义”时代。随着电动车与储能市场爆发，该芯片将成为600V级DC-DC设计的首选引擎。ZBT嘉泰姆

开发支持：ZBT嘉泰姆
官方提供调试助手软件，支持开环测试模式（PWM_H固定30%占空比），加速硬件验证。ZBT嘉泰姆

技术规格书（产品PDF) ZBT嘉泰姆

     需要详细的PDF规格书请联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！ZBT嘉泰姆
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   电路原理图 ZBT嘉泰姆

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型号 VCC启动电压 VCC关闭电压 输入电压范围 启动电流 开关频率 输出电压精度 内置功率管 特点 封装
CXDC65167 6.5V 3.5V 20-60V 内置快速启动 10-100K，外围可设置 3% 有 48V电池供电系统降压型开关电源芯片 ESOP8
CXAC85204 16V 9V 20-150V 3uA 抖频 1.5% 有 非隔离系统恒压恒流输出 SOP7
CXAC85207 9.5V 7.8V 10-25V 80uA 0-300K,外围可调 1.50% 无 可编程电源芯片 SOP16
CXLB73135 9.5V 7.8V 10-25V 80uA 0-300K,外围可调 1.50% 无 可编程电源芯片 SSOP24
CXDC65168 6.5V 3.5V 10-600V 200uA 0-300K，外围可设置 1.5% 无 同步整流，高效率，可支持对电池恒流恒压充电 SOP16
CXSU63303 - - 7-150V 外置辅助电源 70K 1.5% 无 升降压控制芯片，支持高压大电流护方案 QFN32
CXSU63304 - - 13-90V 外置辅助电源 100K 1.5% 无 支持PD3.0协议的升降压数字电源芯片 QFN64
CXSU63305 3.65V 3.6V 4-600V 50uA 0-300K，外围可设置 1.5% 无 升压同步整流方案，支持高压大电流方案 SOP16
CXSD62669 16V 9V 20-90V 3uA 抖频 1.5% 有 非隔离系统恒压恒流输出 SOP7
CXSD62670 16V 9V 20-600V 3uA 抖频 1.5% 有 非隔离系统恒压恒流输出 SOP7
CXSD62671 - - 10-115V 内置快速启动 140KHz 3% 无 短路打嗝，输出电压灵活可调 ESOP8
CXSD62672 - - 10-115V 内置快速启动 120KHz 3% 无 短路锁住，输出电压灵活可调 ESOP8
CXSD62673 - - 10-100V 内置快速启动 120KHz 3% 有 零功耗使能，输出电压灵活可调 ESOP8
CXSD62674 - - 10-120V 内置快速启动 120KHz 3% 有 零功耗使能，输出电压灵活可调 ESOP8
CXSD62675 - - 10-120V 内置快速启动 120KHz 3% 有 短路打嗝，输出电压灵活可调 ESOP8
CXSD62676 - - 10-120V 内置快速启动 120KHz 3% 无 短路打嗝，输出电压灵活可调 ESOP8
CXSD62677 - - 10-120V 内置快速启动 70KHz 3% 无 短路锁住，输出电压灵活可调 ESOP8
CXSD62678 4.6V 3.8V 4-600V 50uA 0-300K，外围可设置 1.5% 无 降压同步整流方案，支持高压大电流方案 SOP16
CXSD62679 16.5V 8V 10-600V 200uA 0-300K，外围可设置 1.5% 无 同步整流，高效率，可支持对电池恒流恒压充电 SOP16
CXSD62680 8.5V 7.5V 10-600V 200uA 0-300K，外围可设置 1.5% 无 同步整流，高效率，可支持对电池恒流恒压充电 SOP16
CXSD62681 9.5V 7.8V 11-250V 200uA 0-300K，外围可设置 1.5% 无 同步整流，高效率，短路锁住，内置温度保护等 SSOP16
CXSD62682 9.5V 7.8V 11-100V 200uA 0-300K，外围可设置 1.5% 有 同步整流，高效率，短路锁住，内置温度保护等 QFN32
CXSD62683 9.5V 7.8V 11-30V 200uA 0-300K，外围可设置 1.5% 有 同步整流，高效率，短路锁住，内置温度保护等 QFN32
CXSD62684 - - - 外置辅助电源 最高工作频率100KHz - 无 数字算法电流模式同步降压控制芯片 SSOP24
CXSD62685 9.5V 7.8V 10-25V 80uA 0-300K,外围可调 1.50% 无 同步整流降压电源控制芯片 SSOP16

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