CXDC6584HV是一款单片集成95mΩ超结功率MOS的开关降压恒压驱动器，支持宽输入电压范围（+9V至+100V，E版本可达120V），输出电压可在1.25V至50V之间灵活设定。该芯片采用ESOP8封装，具备完善的保护机制，适用于多种高压转低压场景。
[ CXDC6584HV ]
产品技术资料帮助
查看全部>
在高压、高效率DC-DC转换器市场中，CXDC6584HV系列芯片以其高集成度、优异的软开关技术和宽广的输入电压范围，成为工业电源、电动车、太阳能系统等应用的理想选择。本文将全面介绍CXDC6584HV的技术特性、设计要点及其在实际系统中的优势。
CXDC6584HV是一款单片集成95mΩ超结功率MOS的开关降压恒压驱动器，支持宽输入电压范围（+9V至+100V，E版本可达120V），输出电压可在1.25V至50V之间灵活设定。该芯片采用ESOP8封装，具备完善的保护机制，适用于多种高压转低压场景。
其主要特性包括：
• 集成95mΩ超结MOS，无需外置开关管；
• ZVS软开关技术，转换效率高达93%，媲美同步整流方案；
• 固定125kHz开关频率，优化EMC性能；
• 全面保护功能：每周期限流、软启动、过压保护、过热保护；
• 低静态电流设计，支持低功耗待机模式；
• 外置限流电阻，灵活设定输出电流；
• 支持VIN分压采样输出，便于系统监测。
CXDC6584HV采用8引脚ESOP封装，各引脚功能如下：
• VIN：电源输入，需接电容滤波；
• EN：使能控制，建议外接300k–680k上拉电阻；
• FB：反馈引脚，接分压电阻设定输出电压；
• I-limit：外接电阻设定限流点；
• SW：开关输出节点；
• BST：自举电容引脚；
• NC：空脚或VIN分压采样输出；
• 底部焊盘：连接VIN，用于散热。
设计注意事项：
• 输出电压设定：VOUT = 1.25 × (1 + R2/R1)；
• 限流设置：I ≈ 0.15V / R4，例如R4=75mΩ时限流2A；
• 补偿电路：SW波形应清晰整齐，必要时调整4.7k电阻或1nF电容；
• 散热设计：底部焊盘接VIN，并通过多过孔连接至PCB背面铜层；
CXDC6584HV适用于多种高压降压场景：
• +48V转+12V/2.5A：持续输出，效率优异；
• +19V转+5V/4A：适合USB快充、车载设备；
• +85V转+12V/2A：适用于太阳能系统、工业电源；
• +12V转+5V/3A：最大输出可达4A。
其独特的ZVS软开关技术有效降低开关损耗，提升系统效率，尤其在高输入电压、大电流输出场景中表现突出。此外，芯片支持低至10μF的输入电容（A版本），有助于简化系统设计、降低成本。
针对低静态功耗需求，可在输出端串联SS34二极管，并搭配CXSD9002A等辅助电源芯片，实现静态电流<200μA、待机电流<10μA的高效系统。
在USB QC快充应用中，CXDC6584HV可配合xx601/603等协议芯片，实现5V/4A、9V/3A、12V/2A等多档输出，满足手机、平板等设备的快速充电需求。
为确保系统稳定运行，建议：
• 加大散热面积：利用PCB正反面铜层，并通过过孔连接；
• 电感选型：5V输出选用47μH，12V输出选用100μH；
• 二极管选型：建议使用SS510或SS10L100等低正向压降肖特基管；
• 电容耐压：需留有充足余量，避免电压冲击；
• 布局优先：功率路径尽量短，地线布局合理。
CXDC6584HV以其高集成度、高效率与灵活的设计方式，成为高压降压转换领域的优选方案。无论是在工业电源、电动车系统，还是在快充设备、太阳能应用中，其出色的性能与全面的保护机制都能为用户提供稳定、高效的电源解决方案。更多技术资料与应用支持，欢迎访问JTM-IC官网。
