CXMS5237E

CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术,在栅极电压低至2.5V的情况下,提供卓越的RDS(ON)、低栅极充电和操作。该设备适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用。它是防静电的高功率和电流处理能力获得无铅产品
VDS = 20V,ID =6A
Typ.RDS(ON) = 17m Ω @ VGS=4.5V
Typ.RDS(ON) = 22mΩ @ VGS=2.5V
ESD Rating: 2000V HBM

CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术在栅极电压低至2.5V的情况下提供RDS(ON)低栅极充电和操作适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用高功率和电流处理能力

产品手册

产品订购

产品简介

                          目录0CK嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)0CK嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品0CK嘉泰姆

一.产品概述0CK嘉泰姆


  The CXMS5237E CXMS5239E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested.0CK嘉泰姆

二.产品特点0CK嘉泰姆


● VDS = 20V,ID =6A 0CK嘉泰姆

 Typ.RDS(ON) = 17m Ω @ VGS=4.5V0CK嘉泰姆

    Typ.RDS(ON) = 22mΩ @ VGS=2.5V0CK嘉泰姆

      ESD Rating: 2000V HBM 0CK嘉泰姆

● High Power and current handing capability 0CK嘉泰姆

● Lead free product is acquired 0CK嘉泰姆

● Surface Mount Package0CK嘉泰姆

三.应用范围0CK嘉泰姆


●PWM application 0CK嘉泰姆

●Load switch    0CK嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)0CK嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!0CK嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg0CK嘉泰姆

五.产品封装图0CK嘉泰姆


blob.png  0CK嘉泰姆

六.电路原理图0CK嘉泰姆


 blob.png  0CK嘉泰姆

七.相关芯片选择指南0CK嘉泰姆


MOSFET及分立器件>>金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)
Part No. Mode VDS(Max.) ID(Max.) RDS(on)(Max.) Package Reference
CXMS5225 P-Channel -20V -3A 64mΩ SOT23 APM2301  SI2301
CXMS5226 P-Channel -20V -4.1A 39mΩ SOT23 APM2305  SI2305
CXMS5227 P-Channel -30V -4.1A 55mΩ SOT23 3407 2307
CXMS5228 P-Channel -30V -4.2A 50mΩ SOT23 AO3401   2303
CXMS5229 P-Channel -30V -5.1A 48mΩ SOP8 9435
CXMS5230 Dual P-Channel -30V -5.1A 48mΩ SOP8 4953
CXMS5231 P-Channel -30V -9.1A 15mΩ SOP8 4435
CXMS5248 P-Channel -300V -170mA 17Ω TO92 BSP304
CXMS5232 N-Channel 20V 2.9A 30mΩ SOT23 SI2302
CXMS5233 Dual N-Channel 20V 4A 19.5mΩ SOT23-6 8205
CXMS5234 N-Channel 20V 5A 22mΩ SOT23  
CXMS5235A Dual N-Channel 20V 6A 21mΩ TSSOP8 8205A
CXMS5235B Dual N-Channel 20V 6A 16mΩ TSSOP8 SOT23-6  
CXMS5236 Dual N-Channel 20V 6A 26mΩ SOP8 9926
CXMS5237E Dual N-Channel(ESD) 20V 6A 17mΩ TSSOP8 8205E
CXMS5238NE Dual N-Channel(ESD) 20V 6A 17mΩ SOT23-6 8205E
CXMS5239E Dual N-Channel(ESD) 20V 7A 15mΩ TSSOP8 8205E
CXMS5240NE Dual N-Channel(ESD) 20V 7A 15mΩ SOT23-6 8205E
CXMS5241 N-Channel 30V 3.6A 39mΩ SOT23  
CXMS5242 N-Channel 30V 5.8A 28mΩ SOT23 3400
CXMS5243 N-Channel 30V 5.8A 25.5mΩ SOT23  
CXMS5244K N-Channel 30V 50A 8mΩ TO252  
CXMS5245K N-Channel(ESD) 50V 220mA SOT23  
CXMS5246 N-Channel 60V 115mA 1.1Ω SOT23 2N7002
CXMS5246K N-Channel(ESD) 60V 300mA SOT23 2N7002K
CXMS5247 N-Channel 200V 300mA TO92 BS108
CXMS5249 Dual N-Channel 12V 21A 5.5mΩ CSP6 EFC6611R

◀ 上一篇:CXMS5236采用先进的沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优秀的无线电数据系统(ON)超低Rdson的高密度单元设计

返回顶部

下一篇▶:CXMS5238NE CXMS5240NE总线采用先进的沟道技术在低至2.5V的栅极电压下提供RDS(ON)低栅极充电和操作适合用作负载开关或在PWM应用中使用