CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗。

产品简介

CXMS5224FG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation.

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z 20V/6A TOl嘉泰姆

RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A TOl嘉泰姆

RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A TOl嘉泰姆

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance TOl嘉泰姆

z Surface mount package：SOP8 z ESD Protected: 3000 VTOl嘉泰姆

应用范围返回TOPTOl嘉泰姆

z Battery management TOl嘉泰姆

z power management TOl嘉泰姆

z Portable equipment TOl嘉泰姆

z Low power DC to DC converter. TOl嘉泰姆

z Load switch z LCD adapterTOl嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)TOl嘉泰姆
PartTOl嘉泰姆 NumberTOl嘉泰姆	ModeTOl嘉泰姆	VDS(Max)TOl嘉泰姆	VGSTOl嘉泰姆	ID(Max)TOl嘉泰姆	RDS(on)TOl嘉泰姆	ApplicationTOl嘉泰姆	PackageTOl嘉泰姆
PartTOl嘉泰姆 NumberTOl嘉泰姆	ModeTOl嘉泰姆	VDS(Max)TOl嘉泰姆	VGSTOl嘉泰姆	ID(Max)TOl嘉泰姆	RDS(on)TOl嘉泰姆	ApplicationTOl嘉泰姆	PackageTOl嘉泰姆
CXMS5213TOl嘉泰姆	N channelTOl嘉泰姆	20VTOl嘉泰姆	12VTOl嘉泰姆	5.2ATOl嘉泰姆	37mΩTOl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TOl嘉泰姆	SOT23TOl嘉泰姆
CXMS5220TOl嘉泰姆	N channelTOl嘉泰姆	20VTOl嘉泰姆	8VTOl嘉泰姆	3ATOl嘉泰姆	22mΩTOl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TOl嘉泰姆	SOT23/SOT23-3TOl嘉泰姆
CXMS5220-NTOl嘉泰姆	N channelTOl嘉泰姆	20VTOl嘉泰姆	12VTOl嘉泰姆	5.2ATOl嘉泰姆	29mΩTOl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TOl嘉泰姆	SOT23TOl嘉泰姆
CXMS5221TOl嘉泰姆	Double NTOl嘉泰姆	20VTOl嘉泰姆	12VTOl嘉泰姆	6ATOl嘉泰姆	22mΩTOl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TOl嘉泰姆	SOP8TOl嘉泰姆
CXMS5222TOl嘉泰姆	N channelTOl嘉泰姆	30VTOl嘉泰姆	12VTOl嘉泰姆	5.8ATOl嘉泰姆	25mΩTOl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TOl嘉泰姆	SOT23/SOT23-3TOl嘉泰姆
CXMS5222-NTOl嘉泰姆	N channelTOl嘉泰姆	30VTOl嘉泰姆	20VTOl嘉泰姆	4.4ATOl嘉泰姆	35mΩTOl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TOl嘉泰姆	SOT23TOl嘉泰姆
CXMS5223TOl嘉泰姆	Double NTOl嘉泰姆	20VTOl嘉泰姆	12VTOl嘉泰姆	6ATOl嘉泰姆	21mΩTOl嘉泰姆	①②③④⑤TOl嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP8TOl嘉泰姆
CXMS5224TOl嘉泰姆	Double NTOl嘉泰姆	20VTOl嘉泰姆	12VTOl嘉泰姆	5ATOl嘉泰姆	19mΩTOl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TOl嘉泰姆	TSSOP8/SOT26TOl嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionTOl嘉泰姆

CXMS5224

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CXMS5224FG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation.

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CXMS5224

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