CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗。

产品简介

CXMS5224FG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation.

产品特点返回TOPJ3m嘉泰姆

z 20V/6A J3m嘉泰姆

RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A J3m嘉泰姆

RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A J3m嘉泰姆

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance J3m嘉泰姆

z Surface mount package：SOP8 z ESD Protected: 3000 VJ3m嘉泰姆

应用范围返回TOPJ3m嘉泰姆

z Battery management J3m嘉泰姆

z power management J3m嘉泰姆

z Portable equipment J3m嘉泰姆

z Low power DC to DC converter. J3m嘉泰姆

z Load switch z LCD adapterJ3m嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)J3m嘉泰姆
PartJ3m嘉泰姆 NumberJ3m嘉泰姆	ModeJ3m嘉泰姆	VDS(Max)J3m嘉泰姆	VGSJ3m嘉泰姆	ID(Max)J3m嘉泰姆	RDS(on)J3m嘉泰姆	ApplicationJ3m嘉泰姆	PackageJ3m嘉泰姆
PartJ3m嘉泰姆 NumberJ3m嘉泰姆	ModeJ3m嘉泰姆	VDS(Max)J3m嘉泰姆	VGSJ3m嘉泰姆	ID(Max)J3m嘉泰姆	RDS(on)J3m嘉泰姆	ApplicationJ3m嘉泰姆	PackageJ3m嘉泰姆
CXMS5213J3m嘉泰姆	N channelJ3m嘉泰姆	20VJ3m嘉泰姆	12VJ3m嘉泰姆	5.2AJ3m嘉泰姆	37mΩJ3m嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧J3m嘉泰姆	SOT23J3m嘉泰姆
CXMS5220J3m嘉泰姆	N channelJ3m嘉泰姆	20VJ3m嘉泰姆	8VJ3m嘉泰姆	3AJ3m嘉泰姆	22mΩJ3m嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧J3m嘉泰姆	SOT23/SOT23-3J3m嘉泰姆
CXMS5220-NJ3m嘉泰姆	N channelJ3m嘉泰姆	20VJ3m嘉泰姆	12VJ3m嘉泰姆	5.2AJ3m嘉泰姆	29mΩJ3m嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧J3m嘉泰姆	SOT23J3m嘉泰姆
CXMS5221J3m嘉泰姆	Double NJ3m嘉泰姆	20VJ3m嘉泰姆	12VJ3m嘉泰姆	6AJ3m嘉泰姆	22mΩJ3m嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧J3m嘉泰姆	SOP8J3m嘉泰姆
CXMS5222J3m嘉泰姆	N channelJ3m嘉泰姆	30VJ3m嘉泰姆	12VJ3m嘉泰姆	5.8AJ3m嘉泰姆	25mΩJ3m嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧J3m嘉泰姆	SOT23/SOT23-3J3m嘉泰姆
CXMS5222-NJ3m嘉泰姆	N channelJ3m嘉泰姆	30VJ3m嘉泰姆	20VJ3m嘉泰姆	4.4AJ3m嘉泰姆	35mΩJ3m嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧J3m嘉泰姆	SOT23J3m嘉泰姆
CXMS5223J3m嘉泰姆	Double NJ3m嘉泰姆	20VJ3m嘉泰姆	12VJ3m嘉泰姆	6AJ3m嘉泰姆	21mΩJ3m嘉泰姆	①②③④⑤J3m嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP8J3m嘉泰姆
CXMS5224J3m嘉泰姆	Double NJ3m嘉泰姆	20VJ3m嘉泰姆	12VJ3m嘉泰姆	5AJ3m嘉泰姆	19mΩJ3m嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧J3m嘉泰姆	TSSOP8/SOT26J3m嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionJ3m嘉泰姆

CXMS5224

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