CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计

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CXMS5221SG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation

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l 20V/5A， RDS(ON) =29mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 6En嘉泰姆

l surface mount package：SOP86En嘉泰姆

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l Battery management

l power management 6En嘉泰姆

l Portable equipment 6En嘉泰姆

l Low power DC to DC converter. 6En嘉泰姆

l Load switch 6En嘉泰姆

l LCD adapter6En嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)6En嘉泰姆
Part6En嘉泰姆 Number6En嘉泰姆	Mode6En嘉泰姆	VDS(Max)6En嘉泰姆	VGS6En嘉泰姆	ID(Max)6En嘉泰姆	RDS(on)6En嘉泰姆	Application6En嘉泰姆	Package6En嘉泰姆
Part6En嘉泰姆 Number6En嘉泰姆	Mode6En嘉泰姆	VDS(Max)6En嘉泰姆	VGS6En嘉泰姆	ID(Max)6En嘉泰姆	RDS(on)6En嘉泰姆	Application6En嘉泰姆	Package6En嘉泰姆
CXMS52136En嘉泰姆	N channel6En嘉泰姆	20V6En嘉泰姆	12V6En嘉泰姆	5.2A6En嘉泰姆	37mΩ6En嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧6En嘉泰姆	SOT236En嘉泰姆
CXMS52206En嘉泰姆	N channel6En嘉泰姆	20V6En嘉泰姆	8V6En嘉泰姆	3A6En嘉泰姆	22mΩ6En嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧6En嘉泰姆	SOT23/SOT23-36En嘉泰姆
CXMS5220-N6En嘉泰姆	N channel6En嘉泰姆	20V6En嘉泰姆	12V6En嘉泰姆	5.2A6En嘉泰姆	29mΩ6En嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧6En嘉泰姆	SOT236En嘉泰姆
CXMS52216En嘉泰姆	Double N6En嘉泰姆	20V6En嘉泰姆	12V6En嘉泰姆	6A6En嘉泰姆	22mΩ6En嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧6En嘉泰姆	SOP86En嘉泰姆
CXMS52226En嘉泰姆	N channel6En嘉泰姆	30V6En嘉泰姆	12V6En嘉泰姆	5.8A6En嘉泰姆	25mΩ6En嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧6En嘉泰姆	SOT23/SOT23-36En嘉泰姆
CXMS5222-N6En嘉泰姆	N channel6En嘉泰姆	30V6En嘉泰姆	20V6En嘉泰姆	4.4A6En嘉泰姆	35mΩ6En嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧6En嘉泰姆	SOT236En嘉泰姆
CXMS52236En嘉泰姆	Double N6En嘉泰姆	20V6En嘉泰姆	12V6En嘉泰姆	6A6En嘉泰姆	21mΩ6En嘉泰姆	①②③④⑤6En嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP86En嘉泰姆
CXMS52246En嘉泰姆	Double N6En嘉泰姆	20V6En嘉泰姆	12V6En嘉泰姆	5A6En嘉泰姆	19mΩ6En嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧6En嘉泰姆	TSSOP8/SOT266En嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection6En嘉泰姆

CXMS5221

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