CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计

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CXMS5221SG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation

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l 20V/5A， RDS(ON) =29mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance VDl嘉泰姆

l surface mount package：SOP8VDl嘉泰姆

应用范围返回TOP

l Battery management

l power management VDl嘉泰姆

l Portable equipment VDl嘉泰姆

l Low power DC to DC converter. VDl嘉泰姆

l Load switch VDl嘉泰姆

l LCD adapterVDl嘉泰姆

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VDl嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)VDl嘉泰姆
PartVDl嘉泰姆 NumberVDl嘉泰姆	ModeVDl嘉泰姆	VDS(Max)VDl嘉泰姆	VGSVDl嘉泰姆	ID(Max)VDl嘉泰姆	RDS(on)VDl嘉泰姆	ApplicationVDl嘉泰姆	PackageVDl嘉泰姆
PartVDl嘉泰姆 NumberVDl嘉泰姆	ModeVDl嘉泰姆	VDS(Max)VDl嘉泰姆	VGSVDl嘉泰姆	ID(Max)VDl嘉泰姆	RDS(on)VDl嘉泰姆	ApplicationVDl嘉泰姆	PackageVDl嘉泰姆
CXMS5213VDl嘉泰姆	N channelVDl嘉泰姆	20VVDl嘉泰姆	12VVDl嘉泰姆	5.2AVDl嘉泰姆	37mΩVDl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧VDl嘉泰姆	SOT23VDl嘉泰姆
CXMS5220VDl嘉泰姆	N channelVDl嘉泰姆	20VVDl嘉泰姆	8VVDl嘉泰姆	3AVDl嘉泰姆	22mΩVDl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧VDl嘉泰姆	SOT23/SOT23-3VDl嘉泰姆
CXMS5220-NVDl嘉泰姆	N channelVDl嘉泰姆	20VVDl嘉泰姆	12VVDl嘉泰姆	5.2AVDl嘉泰姆	29mΩVDl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧VDl嘉泰姆	SOT23VDl嘉泰姆
CXMS5221VDl嘉泰姆	Double NVDl嘉泰姆	20VVDl嘉泰姆	12VVDl嘉泰姆	6AVDl嘉泰姆	22mΩVDl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧VDl嘉泰姆	SOP8VDl嘉泰姆
CXMS5222VDl嘉泰姆	N channelVDl嘉泰姆	30VVDl嘉泰姆	12VVDl嘉泰姆	5.8AVDl嘉泰姆	25mΩVDl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧VDl嘉泰姆	SOT23/SOT23-3VDl嘉泰姆
CXMS5222-NVDl嘉泰姆	N channelVDl嘉泰姆	30VVDl嘉泰姆	20VVDl嘉泰姆	4.4AVDl嘉泰姆	35mΩVDl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧VDl嘉泰姆	SOT23VDl嘉泰姆
CXMS5223VDl嘉泰姆	Double NVDl嘉泰姆	20VVDl嘉泰姆	12VVDl嘉泰姆	6AVDl嘉泰姆	21mΩVDl嘉泰姆	①②③④⑤VDl嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP8VDl嘉泰姆
CXMS5224VDl嘉泰姆	Double NVDl嘉泰姆	20VVDl嘉泰姆	12VVDl嘉泰姆	5AVDl嘉泰姆	19mΩVDl嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧VDl嘉泰姆	TSSOP8/SOT26VDl嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionVDl嘉泰姆

CXMS5221

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