CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计

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CXMS5221SG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation

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l 20V/5A， RDS(ON) =29mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance TCV嘉泰姆

l surface mount package：SOP8TCV嘉泰姆

应用范围返回TOP

l Battery management

l power management TCV嘉泰姆

l Portable equipment TCV嘉泰姆

l Low power DC to DC converter. TCV嘉泰姆

l Load switch TCV嘉泰姆

l LCD adapterTCV嘉泰姆

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TCV嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)TCV嘉泰姆
PartTCV嘉泰姆 NumberTCV嘉泰姆	ModeTCV嘉泰姆	VDS(Max)TCV嘉泰姆	VGSTCV嘉泰姆	ID(Max)TCV嘉泰姆	RDS(on)TCV嘉泰姆	ApplicationTCV嘉泰姆	PackageTCV嘉泰姆
PartTCV嘉泰姆 NumberTCV嘉泰姆	ModeTCV嘉泰姆	VDS(Max)TCV嘉泰姆	VGSTCV嘉泰姆	ID(Max)TCV嘉泰姆	RDS(on)TCV嘉泰姆	ApplicationTCV嘉泰姆	PackageTCV嘉泰姆
CXMS5213TCV嘉泰姆	N channelTCV嘉泰姆	20VTCV嘉泰姆	12VTCV嘉泰姆	5.2ATCV嘉泰姆	37mΩTCV嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TCV嘉泰姆	SOT23TCV嘉泰姆
CXMS5220TCV嘉泰姆	N channelTCV嘉泰姆	20VTCV嘉泰姆	8VTCV嘉泰姆	3ATCV嘉泰姆	22mΩTCV嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TCV嘉泰姆	SOT23/SOT23-3TCV嘉泰姆
CXMS5220-NTCV嘉泰姆	N channelTCV嘉泰姆	20VTCV嘉泰姆	12VTCV嘉泰姆	5.2ATCV嘉泰姆	29mΩTCV嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TCV嘉泰姆	SOT23TCV嘉泰姆
CXMS5221TCV嘉泰姆	Double NTCV嘉泰姆	20VTCV嘉泰姆	12VTCV嘉泰姆	6ATCV嘉泰姆	22mΩTCV嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TCV嘉泰姆	SOP8TCV嘉泰姆
CXMS5222TCV嘉泰姆	N channelTCV嘉泰姆	30VTCV嘉泰姆	12VTCV嘉泰姆	5.8ATCV嘉泰姆	25mΩTCV嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TCV嘉泰姆	SOT23/SOT23-3TCV嘉泰姆
CXMS5222-NTCV嘉泰姆	N channelTCV嘉泰姆	30VTCV嘉泰姆	20VTCV嘉泰姆	4.4ATCV嘉泰姆	35mΩTCV嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TCV嘉泰姆	SOT23TCV嘉泰姆
CXMS5223TCV嘉泰姆	Double NTCV嘉泰姆	20VTCV嘉泰姆	12VTCV嘉泰姆	6ATCV嘉泰姆	21mΩTCV嘉泰姆	①②③④⑤TCV嘉泰姆	SOT23-6/ TSSOP8TCV嘉泰姆
CXMS5224TCV嘉泰姆	Double NTCV嘉泰姆	20VTCV嘉泰姆	12VTCV嘉泰姆	5ATCV嘉泰姆	19mΩTCV嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧TCV嘉泰姆	TSSOP8/SOT26TCV嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionTCV嘉泰姆

CXMS5221

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