CXMS5109

CXMS5109是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管,作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装,采用先进的沟道技术和设计,以提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)。标准产品CXMS5109不含铅和卤素。
沟槽技术
超高密度电池设计
优良的电阻
•极低阈值电压

CXMS5109 N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)沟槽技术超高密度电池设计优良的电阻极低阈值电压

产品手册

产品订购

产品简介

目录

   产品概述 返回TOPhRu嘉泰姆


The CXMS5109 is the N-Channel and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or level shift applications, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. Standard Product CXMS5109 is Pb-free and Halogen-free.

   产品特点 返回TOPhRu嘉泰姆


 Trench Technology hRu嘉泰姆

 Supper high density cell design hRu嘉泰姆

 Excellent ON resistance hRu嘉泰姆

 Extremely Low Threshold Voltage hRu嘉泰姆

 Small package DFN2*2-6LhRu嘉泰姆

   应用范围 返回TOPhRu嘉泰姆


 Power supply converters circuit hRu嘉泰姆

 Load/Power Switching for portable devicehRu嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP hRu嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!hRu嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpghRu嘉泰姆

产品封装图 返回TOPhRu嘉泰姆


blob.pnghRu嘉泰姆

电路原理图 返回TOPhRu嘉泰姆


blob.pnghRu嘉泰姆

相关芯片选择指南 返回TOP               更多同类产品......


场效应晶体管 >

ProducthRu嘉泰姆

Polarity Channel VDS VGS VGS(th) RDS(ON)@VGS=4.5V ID@TA=25oC Package Size
(Max.) (Max.) (Max.) (Typ.) (MAX.) (L×W)
(V) (V) (V) (Ω) (A) (mm)
CXMS5105 N + P 2 20/-20 ±6/±8 0.85/-1.0 0.18/0.085 0.65/-3.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5106 N + P 2 20/-20 ±6 0.9/-0.9 0.23/0.52 0.8/-0.59 SOT-363 2.1 x 2.3
CXMS5107 N + P 2 20/-20 ±6 0.9/-0.9 0.18/0.45 0.79/-0.5 SOT-563 1.6 x 1.6
CXMS5108 N + P 2 20/-20 ±8 1/-1 0.033/0.085 4.4/-2.8 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5109 N + P 2 12/-12 ±8 1.2/-1.2 0.028/-0.057 5.1/-4.0 DFN2020-6L 2.0 x 2.0

◀ 上一篇:CXMS5108极低阈值电压超高密度电池设计是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)

返回顶部

下一篇▶:CXMS5132超高密度电池设计极低阈值电压是N沟道增强MOS场效应晶体管采用先进的沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS ON适用于DC-DC变换负载切换和电平变换