CXMS5109 N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）沟槽技术超高密度电池设计优良的电阻极低阈值电压

CXMS5109

CXMS5109是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管，作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装，采用先进的沟道技术和设计，以提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）。标准产品CXMS5109不含铅和卤素。
沟槽技术
超高密度电池设计
优良的电阻
•极低阈值电压

CXMS5109 N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）沟槽技术超高密度电池设计优良的电阻极低阈值电压

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[ CXMS5109 ]

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产品简介

目录

1.产品概述 2.产品特点 hRu嘉泰姆
3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）hRu嘉泰姆
5.产品封装 6.电路原理图 hRu嘉泰姆
7.相关产品hRu嘉泰姆

产品概述返回TOPhRu嘉泰姆

The CXMS5109 is the N-Channel and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or level shift applications, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. Standard Product CXMS5109 is Pb-free and Halogen-free.

产品特点返回TOPhRu嘉泰姆

 Trench Technology hRu嘉泰姆

 Supper high density cell design hRu嘉泰姆

 Excellent ON resistance hRu嘉泰姆

 Extremely Low Threshold Voltage hRu嘉泰姆

 Small package DFN2*2-6LhRu嘉泰姆

应用范围返回TOPhRu嘉泰姆

 Power supply converters circuit hRu嘉泰姆

 Load/Power Switching for portable devicehRu嘉泰姆

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ProducthRu嘉泰姆	Polarity	Channel	VDS	VGS	VGS(th)	RDS(ON)@VGS=4.5V	ID@TA=25oC	Package	Size
			(Max.)	(Max.)	(Max.)	(Typ.)	(MAX.)		(L×W)
			(V)	(V)	(V)	(Ω)	(A)		(mm)
CXMS5105	N + P	2	20/-20	±6/±8	0.85/-1.0	0.18/0.085	0.65/-3.1	DFN2020-6L	2.0 x 2.0
CXMS5106	N + P	2	20/-20	±6	0.9/-0.9	0.23/0.52	0.8/-0.59	SOT-363	2.1 x 2.3
CXMS5107	N + P	2	20/-20	±6	0.9/-0.9	0.18/0.45	0.79/-0.5	SOT-563	1.6 x 1.6
CXMS5108	N + P	2	20/-20	±8	1/-1	0.033/0.085	4.4/-2.8	SOT-23-6L	2.9 x 2.8
CXMS5109	N + P	2	12/-12	±8	1.2/-1.2	0.028/-0.057	5.1/-4.0	DFN2020-6L	2.0 x 2.0

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