20V N沟道增强型MOS场效应管CXMS5263电源管理小功率驱动
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.0A = 42mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.0A = 30mΩ
[ CXMS5263 ]
产品技术资料帮助
查看全部>
产品概述 返回TOP
产品特点 返回TOP
应用范围 返回TOP
电源管理、小功率驱动等
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
a
|
型号 |
功能 |
适用范围 |
封装 |
|
N沟道场效应功率管 |
航模螺旋桨驱动、其它需大电流驱动的产品 |
TO-252 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
|
|
N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
锂电池保护板 |
TSSOP8 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
|
|
N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
锂电池保护板 |
TSSOP-8 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
用于功率开关等 |
SOP-8 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
|
|
20V N 沟道 MOS |
用于功率开关等 |
DFN(3*3)-8 |
|
|
20V N 沟道 MOS |
用于功率开关等 |
DFN(3*3)-8 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
锂电池保护板 |
TSSOP8/SOT26 |
|
◀ 上一篇:用于功率开关20V N沟道增强型MOS场效应管CXMS5258
下一篇▶:CXMS5259为PWM负载开关高密度单元降低了导通电阻高频率工作指数先进的MOS工艺技术超低的导通电阻与低栅极电荷快速切换和反向恢复
