CX15N10

CX15N10是一种N通道增强型功率效应晶体管,采用高单元密度的先进沟道技术制造,这种高密度工艺特别适合于降低状态电阻,特别适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器

CX15N10是N通道增强型功率效应晶体管采用高单元密度的先进沟道技术制造高密度工艺特别适合于降低状态电阻适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器

产品手册

产品订购

产品简介

目录

   产品概述 返回TOPz9h嘉泰姆


The CX15N10 is N channel enhancement mode power effect transitor which is produced using high cell density advanced trench technology.The high density process is especially able to minize on-state resistance.These devices are.especially suited for low voltage application power management DC-DC converters.

   产品特点 返回TOPz9h嘉泰姆


100V/15 A, RDS(ON)=80.0mΩ (typ.)@VGS= 10Vz9h嘉泰姆

100V/8A,RDS(ON)=115m Ω(typ.)@VGS= 4.5V z9h嘉泰姆

Super high design for extremely low RDS(ON) z9h嘉泰姆

Exceptional on-resistance and Maximum DC current capability z9h嘉泰姆

Full RoHS compliancez9h嘉泰姆

SOP8 andTO252 package designz9h嘉泰姆

100% UIS Tested z9h嘉泰姆

 100% Rg testedz9h嘉泰姆

   应用范围 返回TOPz9h嘉泰姆


Power Management z9h嘉泰姆

DC/DC Converter z9h嘉泰姆

Load Switch z9h嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP z9h嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!z9h嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgz9h嘉泰姆

产品封装图 返回TOPz9h嘉泰姆


blob.pngz9h嘉泰姆

电路原理图 返回TOPz9h嘉泰姆


blob.pngz9h嘉泰姆

相关芯片选择指南 返回TOP        更多的同类产品......


MOSFET
型号 说明
CXMS5202 2A N MOS
CXMS5203 4A/ 20V NMOS
CXMS5206 30V/4A NMOS
CX15N10 15A-100V NMOS

◀ 上一篇:N-Channel Enhancement Mode MOSFET CXMS5206 Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Systems

返回顶部

下一篇▶:CXMS5213 N沟道增强型功率场效应管(MOSFET)采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺特别适用于减小导通电阻移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路