CXMS5210 CXMS5218双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低压应用和低功耗

产品简介

CXMS5218SG CXMS5210 Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation .

产品特点返回TOPMgT嘉泰姆

z -30V/-6A RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A MgT嘉泰姆

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance MgT嘉泰姆

z Surface mount package:SOP8MgT嘉泰姆

应用范围返回TOPMgT嘉泰姆

z Power management MgT嘉泰姆

z Load switch MgT嘉泰姆

z Battery protectionMgT嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)MgT嘉泰姆
PartMgT嘉泰姆	ModeMgT嘉泰姆	VDS(Max)MgT嘉泰姆	VGSMgT嘉泰姆	ID(Max)MgT嘉泰姆	RDS(on)MgT嘉泰姆	ApplicationMgT嘉泰姆	PackageMgT嘉泰姆
NumberMgT嘉泰姆	ModeMgT嘉泰姆	VDS(Max)MgT嘉泰姆	VGSMgT嘉泰姆	ID(Max)MgT嘉泰姆	RDS(on)MgT嘉泰姆	ApplicationMgT嘉泰姆	PackageMgT嘉泰姆
CXMS5214MgT嘉泰姆	P channelMgT嘉泰姆	-20VMgT嘉泰姆	-8VMgT嘉泰姆	-2.8AMgT嘉泰姆	93mΩMgT嘉泰姆	①②③④⑤MgT嘉泰姆	SOT23/SOT23-3MgT嘉泰姆
CXMS5214-NMgT嘉泰姆	P channelMgT嘉泰姆	-20VMgT嘉泰姆	-12VMgT嘉泰姆	-3.1AMgT嘉泰姆	77mΩMgT嘉泰姆	①②③④⑤MgT嘉泰姆	SOT23MgT嘉泰姆
CXMS5215MgT嘉泰姆	P channelMgT嘉泰姆	-30VMgT嘉泰姆	-12VMgT嘉泰姆	-4.2AMgT嘉泰姆	55mΩMgT嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧MgT嘉泰姆	SOT23/SOT23-3MgT嘉泰姆
CXMS5215-NMgT嘉泰姆	P channelMgT嘉泰姆	-30VMgT嘉泰姆	-20VMgT嘉泰姆	-2.9AMgT嘉泰姆	92mΩMgT嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧MgT嘉泰姆	SOT23MgT嘉泰姆
CXMS5216MgT嘉泰姆	P channelMgT嘉泰姆	-30VMgT嘉泰姆	-20VMgT嘉泰姆	-4.1AMgT嘉泰姆	46mΩMgT嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧MgT嘉泰姆	SOT23/SOT23-3MgT嘉泰姆
CXMS5217MgT嘉泰姆	P channelMgT嘉泰姆	-30VMgT嘉泰姆	-20VMgT嘉泰姆	-6AMgT嘉泰姆	46mΩMgT嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑨MgT嘉泰姆	SOP8/SOT89-3MgT嘉泰姆
CXMS5218MgT嘉泰姆	Double PMgT嘉泰姆	-30VMgT嘉泰姆	-20VMgT嘉泰姆	-6AMgT嘉泰姆	53mΩMgT嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧MgT嘉泰姆	SOP8MgT嘉泰姆
CXMS5219MgT嘉泰姆	Double PMgT嘉泰姆	-30VMgT嘉泰姆	-20VMgT嘉泰姆	-6AMgT嘉泰姆	46mΩMgT嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧MgT嘉泰姆	SOP8MgT嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionMgT嘉泰姆

CXMS5210

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