CXMS5210 CXMS5218双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低压应用和低功耗

产品简介

CXMS5218SG CXMS5210 Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation .

产品特点返回TOPksr嘉泰姆

z -30V/-6A RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A ksr嘉泰姆

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance ksr嘉泰姆

z Surface mount package:SOP8ksr嘉泰姆

应用范围返回TOPksr嘉泰姆

z Power management ksr嘉泰姆

z Load switch ksr嘉泰姆

z Battery protectionksr嘉泰姆

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)ksr嘉泰姆
Partksr嘉泰姆	Modeksr嘉泰姆	VDS(Max)ksr嘉泰姆	VGSksr嘉泰姆	ID(Max)ksr嘉泰姆	RDS(on)ksr嘉泰姆	Applicationksr嘉泰姆	Packageksr嘉泰姆
Numberksr嘉泰姆	Modeksr嘉泰姆	VDS(Max)ksr嘉泰姆	VGSksr嘉泰姆	ID(Max)ksr嘉泰姆	RDS(on)ksr嘉泰姆	Applicationksr嘉泰姆	Packageksr嘉泰姆
CXMS5214ksr嘉泰姆	P channelksr嘉泰姆	-20Vksr嘉泰姆	-8Vksr嘉泰姆	-2.8Aksr嘉泰姆	93mΩksr嘉泰姆	①②③④⑤ksr嘉泰姆	SOT23/SOT23-3ksr嘉泰姆
CXMS5214-Nksr嘉泰姆	P channelksr嘉泰姆	-20Vksr嘉泰姆	-12Vksr嘉泰姆	-3.1Aksr嘉泰姆	77mΩksr嘉泰姆	①②③④⑤ksr嘉泰姆	SOT23ksr嘉泰姆
CXMS5215ksr嘉泰姆	P channelksr嘉泰姆	-30Vksr嘉泰姆	-12Vksr嘉泰姆	-4.2Aksr嘉泰姆	55mΩksr嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧ksr嘉泰姆	SOT23/SOT23-3ksr嘉泰姆
CXMS5215-Nksr嘉泰姆	P channelksr嘉泰姆	-30Vksr嘉泰姆	-20Vksr嘉泰姆	-2.9Aksr嘉泰姆	92mΩksr嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧ksr嘉泰姆	SOT23ksr嘉泰姆
CXMS5216ksr嘉泰姆	P channelksr嘉泰姆	-30Vksr嘉泰姆	-20Vksr嘉泰姆	-4.1Aksr嘉泰姆	46mΩksr嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧ksr嘉泰姆	SOT23/SOT23-3ksr嘉泰姆
CXMS5217ksr嘉泰姆	P channelksr嘉泰姆	-30Vksr嘉泰姆	-20Vksr嘉泰姆	-6Aksr嘉泰姆	46mΩksr嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑨ksr嘉泰姆	SOP8/SOT89-3ksr嘉泰姆
CXMS5218ksr嘉泰姆	Double Pksr嘉泰姆	-30Vksr嘉泰姆	-20Vksr嘉泰姆	-6Aksr嘉泰姆	53mΩksr嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧ksr嘉泰姆	SOP8ksr嘉泰姆
CXMS5219ksr嘉泰姆	Double Pksr嘉泰姆	-30Vksr嘉泰姆	-20Vksr嘉泰姆	-6Aksr嘉泰姆	46mΩksr嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧ksr嘉泰姆	SOP8ksr嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protectionksr嘉泰姆

CXMS5210

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CXMS5218SG CXMS5210 Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation .

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