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CXCP5391

CXCP5391 uses advanced trench technology and design to provide
excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested
● VDS =-100V,ID =-4.5A
RDS(ON)<100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ)
● Super high dense cell design
● Advanced trench process technology
● Reliable and rugged
● High density cell design for ultra low On-Resistance

CXCP5391 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested

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产品简介

目录aQw嘉泰姆

1.产品概述       2.产品特点     3.应用范围      4.技术规格书下载（产品PDF文档） aQw嘉泰姆
5.产品封装图   6.电路原理图  7.功能概述      8.相关产品aQw嘉泰姆

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一,产品概述(General Description)      aQw嘉泰姆
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     The  CXCP5391 uses advanced trench technology and design to provideaQw嘉泰姆
excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety ofaQw嘉泰姆
applications. It is ESD protestedaQw嘉泰姆
二.产品特点(Features)aQw嘉泰姆
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● VDS =-100V,ID =-4.5AaQw嘉泰姆
    RDS(ON)<100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ)aQw嘉泰姆
● Super high dense cell designaQw嘉泰姆
● Advanced trench process technologyaQw嘉泰姆
● Reliable and ruggedaQw嘉泰姆
● High density cell design for ultra low On-ResistanceaQw嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)aQw嘉泰姆
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● Power management in notebook computeraQw嘉泰姆
● Portable equipment and battery powered systemsaQw嘉泰姆
四.技术规格书下载（产品PDF）aQw嘉泰姆
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五,产品封装图 (Package)aQw嘉泰姆
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blob.pngaQw嘉泰姆

六.电路原理图aQw嘉泰姆
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七,功能概述aQw嘉泰姆
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ParameteraQw嘉泰姆

SymbolaQw嘉泰姆

LimitaQw嘉泰姆

UnitaQw嘉泰姆

Drain-Source VoltageaQw嘉泰姆

VDSaQw嘉泰姆

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Gate-Source VoltageaQw嘉泰姆

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Drain Current-ContinuousaQw嘉泰姆

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Drain Current-Continuous(TC=100℃)aQw嘉泰姆

ID (100℃)aQw嘉泰姆

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Pulsed Drain CurrentaQw嘉泰姆

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Maximum Power DissipationaQw嘉泰姆

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Derating factoraQw嘉泰姆

  

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W/℃aQw嘉泰姆

Operating Junction and Storage Temperature RangeaQw嘉泰姆

TJ,TSTGaQw嘉泰姆

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VTHaQw嘉泰姆

IDaQw嘉泰姆

IDMaQw嘉泰姆

RDS(on)aQw嘉泰姆

封装aQw嘉泰姆

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8mΩaQw嘉泰姆

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CX08P12DaQw嘉泰姆

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28mΩaQw嘉泰姆

DFN2*2-6aQw嘉泰姆

CX16P12DaQw嘉泰姆

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DNF2*2-6aQw嘉泰姆

CXCP5367/AaQw嘉泰姆

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SOT23、SOT23-3L aQw嘉泰姆

CXCP5367BaQw嘉泰姆

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SOT-323、SOT-523、SOT-723aQw嘉泰姆

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