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CXCP5367D

CXCP5367D是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。

CXCP5367D是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造

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   产品概述 返回TOP7QA嘉泰姆

The CXCP5367D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

   产品特点 返回TOP7QA嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.48Ω @VGS=-4.5V 7QA嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.67Ω @VGS=-2.5V 7QA嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.95Ω @VGS=-1.8V 7QA嘉泰姆

● RDS(ON)= 2.20Ω @VGS=-1.5V 7QA嘉泰姆

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON) 7QA嘉泰姆

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 7QA嘉泰姆

● Capable doing Cu wire bonding7QA嘉泰姆

   应用范围 返回TOP7QA嘉泰姆

● Power Management in Note book 7QA嘉泰姆

● Portable Equipment 7QA嘉泰姆

● Battery Powered System7QA嘉泰姆

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP 7QA嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpg7QA嘉泰姆

产品封装图 返回TOP7QA嘉泰姆

a7QA嘉泰姆

电路原理图 返回TOP7QA嘉泰姆

blob.png7QA嘉泰姆

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型号7QA嘉泰姆

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VGS7QA嘉泰姆

VTH7QA嘉泰姆

ID7QA嘉泰姆

IDM7QA嘉泰姆

RDS(on)7QA嘉泰姆

封装7QA嘉泰姆

(Max)7QA嘉泰姆

  

(Typ)7QA嘉泰姆

(Max)7QA嘉泰姆

  

(Max)7QA嘉泰姆

BSS847QA嘉泰姆

P沟道7QA嘉泰姆

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20V7QA嘉泰姆

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-12V7QA嘉泰姆

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-12V7QA嘉泰姆

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-12V7QA嘉泰姆

-1.0V7QA嘉泰姆

-4.2A7QA嘉泰姆

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CXCP5371C7QA嘉泰姆

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-30V7QA嘉泰姆

-12V7QA嘉泰姆

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-20V7QA嘉泰姆

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-20V7QA嘉泰姆

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-20V7QA嘉泰姆

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