CX16P12D

The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D,advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages

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The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

   产品特点 返回TOPkUK嘉泰姆


● VDS = -12V,ID = -16A kUK嘉泰姆

RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-2.5V kUK嘉泰姆

RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=-4.5V kUK嘉泰姆

● Advanced trench MOSFET process technology kUK嘉泰姆

● Ultra low on-resistance with low gate chargekUK嘉泰姆

   应用范围 返回TOPkUK嘉泰姆


● PWM applications kUK嘉泰姆

● Load switch kUK嘉泰姆

● Battery charge in cellular handsetkUK嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgkUK嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPkUK嘉泰姆


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型号kUK嘉泰姆

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VGSkUK嘉泰姆

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IDkUK嘉泰姆

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封装kUK嘉泰姆

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DFN2*2-6kUK嘉泰姆

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DNF2*2-6kUK嘉泰姆

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65mΩkUK嘉泰姆

SOT23、SOT23-3L kUK嘉泰姆

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SOT23kUK嘉泰姆

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SOT-323、SOT-523、SOT-723kUK嘉泰姆

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P沟道kUK嘉泰姆

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SOT23kUK嘉泰姆

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P沟道kUK嘉泰姆

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SOT23kUK嘉泰姆

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SOT23-3L、SOT23kUK嘉泰姆

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P沟道kUK嘉泰姆

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SOP8kUK嘉泰姆

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CXCP5378kUK嘉泰姆

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