CX16P12D

The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D,advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages

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The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

   产品特点 返回TOPqjh嘉泰姆


● VDS = -12V,ID = -16A qjh嘉泰姆

RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-2.5V qjh嘉泰姆

RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=-4.5V qjh嘉泰姆

● Advanced trench MOSFET process technology qjh嘉泰姆

● Ultra low on-resistance with low gate chargeqjh嘉泰姆

   应用范围 返回TOPqjh嘉泰姆


● PWM applications qjh嘉泰姆

● Load switch qjh嘉泰姆

● Battery charge in cellular handsetqjh嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgqjh嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPqjh嘉泰姆


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RDS(on)qjh嘉泰姆

封装qjh嘉泰姆

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(Typ)qjh嘉泰姆

(Max)qjh嘉泰姆

 

(Max)qjh嘉泰姆

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