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CX16P12D

The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D，advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages

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   产品概述 返回TOPCqm嘉泰姆

The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

   产品特点 返回TOPCqm嘉泰姆

● VDS = -12V,ID = -16A Cqm嘉泰姆

RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-2.5V Cqm嘉泰姆

RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=-4.5V Cqm嘉泰姆

● Advanced trench MOSFET process technology Cqm嘉泰姆

● Ultra low on-resistance with low gate chargeCqm嘉泰姆

   应用范围 返回TOPCqm嘉泰姆

● PWM applications Cqm嘉泰姆

● Load switch Cqm嘉泰姆

● Battery charge in cellular handsetCqm嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgCqm嘉泰姆

产品封装图 返回TOPCqm嘉泰姆

blob.pngCqm嘉泰姆

电路原理图 返回TOPCqm嘉泰姆

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RDS(on)Cqm嘉泰姆

封装Cqm嘉泰姆

(Max)Cqm嘉泰姆

  

(Typ)Cqm嘉泰姆

(Max)Cqm嘉泰姆

  

(Max)Cqm嘉泰姆

BSS84Cqm嘉泰姆

P沟道Cqm嘉泰姆

-50VCqm嘉泰姆

20VCqm嘉泰姆

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-30VCqm嘉泰姆

-12VCqm嘉泰姆

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