CXSD62223系列是一组同步整流型DC/DC变换器，具有内置的P通道MOS驱动晶体管和N通道MOS开关晶体管，设计允许使用陶瓷电容器。输出电压内部设置在0.8V至3.6V（精度：？2.0%）范围内，增量为0.05V。该设备提供高效、稳定的电源，输出电流为1.5A，仅使用一个线圈和两个外部连接的电容器进行配置振荡频率可选择1.2兆赫或3.0兆赫，以适应您的特殊应用,...

CXSD62224该设备提供高效、稳定的电源，输出电流为1.5A，仅使用一个线圈和两个外部连接的电容器进行配置振荡频率可选择1.2兆赫或3.0兆赫，以适应您的特殊应用。至于操作模式，HiSAT COT控制具有良好的瞬态响应，允许在整个负载范围（从轻负载到重负载）内快速响应、低纹波和高效率。,...

CXSD62225配备上电复位、软启动和整体将保护装置（欠压、超温和电流限制）集成到一个单独的封装中。该装置可提供外部元件和PCB区域的紧凑系统解决方案,...

CXSD62226A是一个单片同步稳压器。这个该设备集成了两个130mΩSFET，并提供连续的
4.75V至23V宽输入电压下的负载电流。电流模式控制提供快速的瞬态响应和逐周电流限制,...

CXSD62227A是一个单片同步降压调节器。该器件集成了两个130mΩmosfet，在4.75V到23V的宽输入电压下提供2.2A的连续负载电流。电流模式控制提供快速瞬态响应和逐周电流限制。可调软启动可防止开启时的涌入电流，在关闭模式下，电源电流降至1μA,...

CXSD62228A是单片同步降压调节器。该装置集成了两个130mΩmosfet，在4.75V到23V的宽输入电压下提供3.2A的连续负载电流。电流模式控制提供快速瞬态响应和逐周电流限制,...

CXSD62228B可调软启动可防止开启时的涌入电流，而在关闭模式下，电源电流降到1μa，在一个SOP8-PP包中提供，提供了一个带有最少外部组件的verycompact解决方案,...

CXSD62229是单片同步降压调节器。该器件集成了两个90mΩmosfet，在4.75V到32V的宽输入电压下提供2A的连续负载电流，电流模式控制提供快速的瞬态响应和逐周电流限制。,...

CXSD62229A可调软启动可防止开启时的涌入电流，在关机模式下，电源电流降至1μA。该设备可在SOP8-PP封装中使用，提供了一个非常紧凑的解决方案，外部组件最少,...

CXSD62230是一个单片同步降压调节器。该器件集成了两个130mΩmosfet，在4.75V到32V的宽输入电压下提供1.6A的连续负载电流。电流模式控制提供快速瞬态响应和逐周电流限制,...

CXSD62213系列产品是工作于18V,内置了P沟道高端驱动晶体管,N沟道低端驱动晶体管的同步整流降压DC/DC转换器。输入电压范围在3.0～18.0V之间,输出电流为0.5A，实现了高效率的稳定电源。此外，作为负载电容(CL)可以使用陶瓷电容等低ESR电容。内置了0.75V的基准电源，用外接电阻（RFB1,RFB2）可以在1.0V～15V的范围内设定输出电压,...

CXSD62214系列产品可对应陶瓷电容,内置了0.5Ω(TYP.)P沟道驱动晶体管,及0.5Ω (TYP.)N沟道同步整流开关晶体管,超低消耗的降压PFM同步整流DC/DC转换器。 采用了PFM控制而实现了超低消耗电流，最适用于重视在轻负载时高效率的机器及对电池驱动时间要求高的机器。,...

CXSD62215系列产品是对应于陶瓷电容,内置32mΩ的P沟道 MOS驱动晶体管及25mΩ的N沟道 MOS开关晶体管的同步整流式降压DC/DC转换器。通过低导通电阻的2个晶体管能得到最大6A的高效率稳定输出电流。内置了0.6V的基准电压源，可以用外部电阻设定输出电压。备有1.2MHz,3.0MHz 的振荡频率，能为应用目的选择最适当的频率。工作模式为瞬,...

CXSD62216系列产品是内置驱动晶体管,工作于30V的降压DC/DC转换IC。由自举方式驱动内置的驱动晶体管，实现了输出电流2.0A高效率稳定电源。此外作为负载电容(CL)可以使用陶瓷电容等低ESR电容。内置了0.8V的基准电压源，通过外接电阻(RFB1,RFB2)可以在1.2V～12.0V(TBD)的范围内设定输出电压。可以从300kHz/500kHz中选择开关频率,...

CXSD62217通过MODE/SYNC端子，在内部CLK±25%的范围内与外部CLK进行同步，可以抑制产生不必要的噪声。PWM/PFM自动切换控制通过在轻负载时的PFM控制工作，实现了从轻负载到重负载整个区域内的高效率。关于软启动时间，通过追加在SS端子外部容量，可以任意地设定软启动时间。内置了UVLO功能，当输入电压在4.6V以下时，强制地停止驱动晶体管,...

CXSD62218输出电压为内部设定品，可在0.05V间隔下在0.6V～0.95V(精度±20mV)范围内设定。通过在待机模式时停止整个电路，将消耗电流控制在0.1μA以下(TYP.)。内置了UVLO（Under Voltage Lock Out）功能，在输入电压低于UVLO电压的情况下，强制地关闭内部P沟道驱动晶体管。,...

CXSD62219系列是可对应陶瓷电容，内置了47mΩ的P沟道MOS驱动晶体管及36mΩ的N沟道MOS开关晶体管的同步整流降压DC/DC转换器。通过低导通电阻的2个晶体管，可得到高达3A的高效率且稳定的输出电流。内置了0.6V的基准电压源，可通过外接电阻设定输出电压。振荡频率为1.2MHz、3.0MHz，可根据应用选择最适合的频率。工作模式为瞬态响应优,...

CXSD62220系列是内装了通用降压DC/DC转换器IC和P-沟道 功率MOSFET的多重实装IC。内置的P-沟道 功率 MOSFET是低导通电阻高速开关型, 与降压DC/DC控制器组合能提供输出电流达到3A的高效率且稳定的电源。此外作为负载电容能使用低ESR钽电容(OS-CON Neo 电容等)。(使用陶瓷电容时, 需要插入RSENSE)内置了0.9V的基准电压源, 能,...

CXSD62221系列是一组同步整流降压型DC/DC转换器，内置0.11Ω（典型值）P沟道MOS驱动晶体管和0.12Ω（典型值）N沟道MOS开关晶体管，可使用陶瓷电容器。这两个内部驱动晶体管的小导通电阻使输出电流高达2A的高效率、稳定的电源成为可能。,...

CXSD62222系列是一组同步整流降压型DC/DC转换器，内置0.11Ω（典型值）P沟道MOS驱动晶体管和0.12Ω（典型值）N沟道MOS开关晶体管，可使用陶瓷电容器。这两个内部驱动晶体管的小导通电阻使输出电流高达2A的高效率、稳定的电源成为可能。,...

CXSD62203系列产品是工作于30V的降压DC/DC控制器IC。因为使用了P沟道MOSFET作为外接驱动晶体管，可以用低输入电压工作。此外，作为负载电容(CL)，可以使用陶瓷电容等低ESR电容。内置了0.8V的基准电压源，通过外接电阻(RFB1,RFB2)，可以设定从1.0V～开始的任意的输出电压。,...

CXSD62204系列是一组同步整流型DC/DC转换器，内置0.6ΩP通道驱动晶体管和0.7ΩN通道开关晶体管，设计用于使用陶瓷电容器。该集成电路能够使用一个线圈和两个外部连接的电容器配置一个高效、稳定的电源，输出电流为500毫安,...

CXSD62205系列是一组同步整流型DC/DC转换器，内置0.42ΩP沟道MOS驱动晶体管和0.52ΩN沟道MOS开关晶体管，可使用陶瓷电容器。工作电压范围为2.0V至6.0V。CXSD62205R001型具有1.2V的固定输出电压（精度：？2.0%）。该装置提供一个高效、稳定的电源，输出电流为600毫安，仅使用一个线圈和两个外部连接的电容器进行配置,...

CXSD62206系列产品是可对应陶瓷电容,内置了P沟道MOS驱动晶体管及N沟道 MOS开关晶体管的同步整流型的降压DC/DC转换器。输出电压能在0.8V～3.6V(±2.0%)之间，能以0.05V间隔在内部设定。外接零部件只使用线圈和电容，能得到输出电流为1A的高效率稳定电源。有1.2MHz,6MHz的振荡频率，可以选择最适用于应用目的的频率。,...

CXSD62207系列产品是可对应陶瓷电容,内置了P沟道MOS驱动晶体管及N沟道 MOS开关晶体管的同步整流型的降压DC/DC转换器。输出电压能在0.8V～3.6V(±2.0%)之间，能以0.05V间隔在内部设定。外接零部件只使用线圈和电容，能得到输出电流为1A的高效率稳定电源。有1.2MHz,6MHz的振荡频率，可以选择最适用于应用目的的频率。采用了具有优越的,...