磁滞窗口（Hysteresis Window）是霍尔传感器抗干扰的核心设计，通过设定触发阈值和释放阈值的差值，防止噪声或抖动导致的误触发。适用于按键、位置检测、电机换向等场景。
抗抖动：避免信号在临界点频繁跳变（如电机换向噪声）。
抗干扰：抑制外部磁场波动或电源噪声的影响。
提高可靠性：确保开关动作明确，减少误触发。
典型应用：
无刷电机（BLDC）霍尔换向
汽车门锁位置检测
工业限位开关
内置磁滞霍尔IC（推荐）：
内置5mT磁滞
无需外部电路，直接输出干净的数字信号。
外接施密特触发器：
若霍尔输出为模拟信号，可通过比较器添加磁滞：
plaintext
Vout → [R1] → 比较器(+)
[R2] → 反馈到(-)
磁滞宽度：ΔV = (Vcc × R2)/(R1+R2)
阈值比较法：
c#define THRESH_HIGH 100 // 触发阈值（如100mV） #define THRESH_LOW 80 // 释放阈值（80mV） if (ADC_Value > THRESH_HIGH) Output = 1; else if (ADC_Value < THRESH_LOW) Output = 0; // 介于两者之间时保持原状态
延时去抖：
触发后锁定状态10ms，避免高频噪声干扰。
经验值：
高噪声环境（如电机）：5~10mT
低噪声环境（如消费电子）：2~3mT
计算公式：
plaintextΔB = |B_op（触发点） - B_rp（释放点）|
示例：
若霍尔IC的B_op=+30mT、B_rp=+20mT → ΔB=10mT
高灵敏度霍尔（如1mV/Gauss）：
需更小的磁滞（ΔB↓），否则易丢失信号细节。
低灵敏度霍尔（如10mV/Gauss）：
可设较大磁滞（ΔB↑），抗噪更强。
需求：抑制电机PWM噪声（±5mT抖动）
方案：
选用内置可调磁滞，默认ΔB=8mT
磁体磁场强度：±50mT（确保信号远超磁滞窗口）
需求：防振动误触发（ASIL-B）
方案：
磁滞ΔB=6mT，AEC-Q100认证
软件二次校验：连续3次触发才判定为有效
| 测试项 | 方法 | 合格标准 |
|---|---|---|
| 磁滞宽度 | 逐步增减磁场，记录触发/释放点 | ΔB误差<±10%（如标称5mT） |
| 抗噪声能力 | 叠加10mT正弦干扰磁场（1kHz） | 无误触发 |
| 温度稳定性 | -40℃~125℃循环，测ΔB变化 | 漂移<±1mT |
磁体强度匹配：
磁场峰值应比磁滞窗口大3倍以上（如ΔB=5mT → 磁体≥15mT）。
动态响应权衡：
磁滞过大会降低灵敏度（如高速旋转检测不适用）。
多霍尔一致性：
阵列应用中，各单元的磁滞需一致（如MLX90380校准功能）。
| 磁滞ΔB | 接口 | 特点 | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| 5mT | 数字 | 低成本，单极开关 | 消费电子 |
| 可调 | 模拟/PWM | 汽车级，抗EMI | 电机控制 |
| 6mT | 数字 | AEC-Q100，冗余输出 | 汽车门锁 |
| 3.5mT | 数字 | 超低功耗（1.6μA） | 物联网设备 |
总结：
硬件磁滞适合高实时性场景（如电机），软件磁滞适合可编程系统。
关键参数：ΔB宽度、温度稳定性、与磁体匹配度。
优先选择内置磁滞的霍尔IC以简化设计。
