| 产品名称： |
CXMS5103基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT其工作电压高达600V |
| 文件格式： |
PDF |
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| 文件语言： |
简体中文 |
| 版权： |
嘉泰姆 |
| 技术要求： |
http://www.jtm-ic.com/shop/power/Planar/2020-04-01/8152.html |
| 文件类型： |
产品文件 |
| 软件大小： |
498 KB |
| 文件等级： |
 |
| 登陆： |
嘉泰姆 |
| 作 者 ： |
嘉泰姆 |
| 官方： |
官方 |
| DEMO演示： |
演示 |
| 上传时间： |
2025-05-28 18:36:46 |
| 产品简介： |
CXMS5103是一种基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用。
完全工作至+600 V
3.3V逻辑兼容
dV/dt抗扰度±50v/nsec
为引导操作设计的浮动通道
栅极驱动电源范围为10 V至20 V
低压侧通道输出源/汇电流能力为300毫安/600毫安的紫外低辐射
独立的逻辑输入以适应所有拓扑
-5V负极Vs能力 |
| 下载地址： |
[ CXMS5103 ] |
| 下载帮助： |
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