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目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载(PDF文档)
5.产品封装 6.电路原理图 7.相关产品
一.产品概述
CXMS5192SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用,例如移动电话,笔记本
电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
二.产品特点
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON))
● 采用带散热片的 SOP8 封装(散热片和D端短接)
三.应用范围
● 电源管理
● 负载开关
● 电池保护
四.技术规格书(产品PDF)
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五.产品封装图
六.电路原理图
参数
符号
极限值
单位
漏级电压
VDSS
-30V
V
栅级电压
VGSS
±20
漏级电流
ID
-4
A
允许最大功耗
PD
2
W
工作温度
TOpr
150
℃
存贮温度
Tstg
-65/150
七.相关芯片选择指南