P 沟道增强型功率 MOSFET CXCP5366采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护，或PWM开关中的应 用

CXCP5366采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护，或PWM开关中的应 用。

 电池保护 

 负载开关

  电源管理

  VDS = -20V，ID = -4.1A RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=-4.5V

  较高的功率和电流处理能力

  3 管脚 SOT23 封装

  产品无铅，满足 rohs，不含卤素