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行业新闻
N 沟道增强型场效应管CXCN5322,低导通电阻
低导通电阻
高可靠性
驱动要求简单
采用 SOT-23-3L/B 封装
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品名称 | Vdss(V) | Vgss(V) | Id(A) | Idm(A) | Is(A) | 封装形式 |
20 | ±12 | 0.65 | 2.5 | 0.3 | SOT-523 | |
20 | ±12 | 0.65 | 1 | 0.3 | SOT-23-3 | |
20 | ±12 | 1.3 | 2 | 0.6 | SOT-23-3 | |
20 | ±8 | 3.6 | 12 | 1.25 | SOT-23-3 | |
20 | ±8 | 3.6 | 12 | 1.25 | SOT-23-3 |
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点击次数： 更新时间：2016-11-10 18:50:45 【打印此页】 【关闭】上一条：N 沟道增强型场效应管CXCN5321,低导通电阻,高可靠性 下一条：100mΩ 功率开关CXPS4259 是一款只有 100mΩ 导通内阻，应用于 USB 供 电的电源开关电路。内置电荷泵升压来驱动 NMOS 功率管， 当处于关断状态时通过寄生的反向体二极管来消除开关的反 向导通电流。低的静态功耗（23μA）和小封装（SOT-23-5） 特别适合电池供电的便携式设备使用。 保护电路包括防止上电过程中的涌入电流的软启电路， 1.1A 过流保护电路是 USB 电源必
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